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1. (WO2016055526) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP

Pub. No.:    WO/2016/055526    International Application No.:    PCT/EP2015/073162
Publication Date: Fri Apr 15 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Thu Oct 08 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 33/00
H01L 33/20
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: KÄMPF, Mathias
JEREBIC, Simon
NEUDECKER, Ingo
SPATH, Günter
HUBER, Michael
PERZLMAIER, Korbinian
Title: STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
Abstract:
Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.