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1. (WO2016055526) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/055526 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/073162
Veröffentlichungsdatum: 14.04.2016 Internationales Anmeldedatum: 07.10.2015
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder: KÄMPF, Mathias; DE
JEREBIC, Simon; DE
NEUDECKER, Ingo; DE
SPATH, Günter; DE
HUBER, Michael; DE
PERZLMAIER, Korbinian; DE
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2014 114 613.108.10.2014DE
Titel (EN) RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR CHIP, METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR CHIPS AND OPTOELECTRONIC ELEMENT COMPRISING A RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES ÉMETTRICES DE RAYONNEMENT ET COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung: front page image
(EN) Disclosed is a radiation-emitting semi-conductor chip (1) comprising an epitaxial semi-conductor layer sequence (3) which emits electromagnetic radiation in operation. The epitaxial semi-conductor layer sequence (3) is applied on a a transparent substrate (4), wherein the substrate (4) has a first main surface (8) facing the semi-conductor layer sequence (3), a second main surface (9) facing away from the semi-conductor layer sequence (3) and a first lateral flank (10) arranged between the first main surface (8) and the second main surface (9), and the lateral flank (10) has a decoupling structure which is formed in a targeted manner from separating tracks. Also disclosed is a method for producing the semi-conductor chip, and a component comprising such a semi-conductor chip.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice émettrice de rayonnement (1) comportant un empilement de couches épitaxiales de semi-conducteur (3), émettant un rayonnement électromagnétique à l'état actif. L'empilement de couches épitaxiales de semi-conducteur (3) est déposé sur un substrat transparent (4), ledit substrat (4) présentant une première surface principale (8) tournée vers l'empilement de couches de semi-conducteur (3), une seconde surface principale tournée à l'opposé de l'empilement de couches de semi-conducteur (3), et un flanc (10) situé entre la première surface principale (8) et la seconde surface principale (9), ledit flanc (10) présentant une structure d'extraction qui est formée de manière ciblée par des traces de découpe. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication de cette puce semi-conductrice, ainsi qu'un composant comprenant une telle puce semi-conductrice.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)