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1. (WO2016050608) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/050608 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/072013
Veröffentlichungsdatum: 07.04.2016 Internationales Anmeldedatum: 24.09.2015
IPC:
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
OSRAM GMBH[DE/DE]; Marcel-Breuer-Str. 6 80807 München, DE
Erfinder: BÖHM, Bernd; DE
ZASPEL, Daniel; DE
HARTAUER, Stefan; DE
HOXHOLD, Björn; DE
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2014 114 188.130.09.2014DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention provides an optoelectronic semiconductor component and a method for producing an optoelectronic semiconductor component (10), comprising the following steps: • A) arranging at least one semiconductor chip (2) on a carrier (1), • B) applying an electrically insulating photoresist (3) to a top side (1a) of the carrier (1) and to the semiconductor chip (2), • C) curing the photoresist (3) with a baking step, • D) patterning the photoresist (3) by exposure, • F) developing the photoresist (3), wherein the photoresist (3) is removed at least from a radiation penetration surface (2b) of the semiconductor chip (2), • G) again curing the photoresist (3) with a baking step, and • H) applying an electrically conductive contact layer (4) to the photoresist (3), wherein the electrically conductive contact layer (4) is in places at a distance (A) from a marginal surface (3a) of the photoresist (3) which faces towards the semiconductor chip (2), wherein the marginal surface (3a) facing towards the semiconductor chip (2) is exposed in places.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur optoélectronique et un procédé pour la fabrication d'un élément semi-conducteur (10) optoélectronique, comprenant les étapes consistant à : • A) disposer au moins une puce semi-conductrice (2) sur un support (1), • B) appliquer une résine photosensible (3) électriquement isolante sur une surface supérieure (la) du support (1) et sur la puce semi-conductrice (2),• C) durcir la résine photosensible (3) par une étape de chauffage, • D) structurer la résine photosensible (3) par éclairage, • F) développer la résine photosensible (3), la résine photosensible (3) étant enlevée au moins d'une surface de pénétration de rayonnement (2b) de la puce semi-conductrice (2), • G) durcir davantage la résine photosensible (3) par une étape de chauffage et • H) appliquer une couche de contact (4) électriquement conductrice sur la résine photosensible (3), la couche de contact (4) électriquement conductrice présentant, par endroits, une distance (A) par rapport à une surface de bord (3a) de la résine photosensible (3), qui est orientée vers la puce semi-conductrice (2), la surface de bord (3a) orientée vers la puce semi-conductrice (3a) étant libre par endroits.
(DE) Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) angegeben, umfassend die Schritte:• A) Anordnen zumindest eines Halbleiterchips (2) an einem Träger (1), • B) Aufbringen eines elektrisch isolierenden Fotolacks (3) auf eine Oberseite (la) des Trägers (1) und auf den Halbleiterchip (2),• C) Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, • D) Strukturieren des Fotolacks (3) durch Belichtung, • F) Entwicklung des Fotolacks (3), wobei der Fotolack (3) zumindest von einer Strahlungsdurchtrittsfläche (2b) des Halbleiterchips (2) entfernt wird, • G) weiteres Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, und • H) Aufbringen einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) auf den Fotolack (3), wobei die elektrisch leitende Kontaktschicht (4) stellenweise einen Abstand (A) zu einer Randfläche (3a) des Fotolacks (3) aufweist, die dem Halbleiterchip (2) zugewandt ist, wobei die dem Halbleiterchip (2) zugewandte Randfläche (3a) stellenweise freiliegt.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)