WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2016050605) VERFAHREN FÜR DAS AUFWACHSEN VON HALBLEITERSCHICHTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/050605    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/071996
Veröffentlichungsdatum: 07.04.2016 Internationales Anmeldedatum: 24.09.2015
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), C30B 25/16 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C23C 16/48 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: BEHRES, Alexander; (DE).
LUGAUER, Hans-Jürgen; (DE).
MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
BLEICHER, Thomas; (DE).
LAUX, Harald; (DE).
SABATHIL, Matthias; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 114 220.9 30.09.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN FÜR DAS AUFWACHSEN VON HALBLEITERSCHICHTEN
(EN) METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYERS
(FR) PROCÉDÉ POUR LA CROISSANCE D'ÉPITAXIE DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES ET SUPPORT POUR LA CROISSANCE DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten angegeben. Dabei wird in einem Schritt A ein Träger (1) bereitgestellt. In einem Schritt B wird zumindest ein Substrat (2) auf den Träger (1) aufgebracht. Ferner wird in einem Schritt C ein Aufwachsprozess ausgeführt, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (20) auf eine dem Träger (1) abgewandte Hauptseite des Substrats (2) aufgewachsen wird. Die fertig gewachsene Halbleiterschichtenfolge (20) emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetischer Strahlung. In einem weiteren Schritt D wird ein Temperaturmessprozess durchgeführt, bei dem ein Temperaturprofil (3) des Substrats (2), welches während des Aufwachsprozesses in dem Substrat (2) auftritt, bestimmt wird. Zusätzlich wird ein Schritt E ausgeführt, bei dem der Träger (1) und/oder das Substrat (2) vor oder während des Aufwachsprozesses gezielt bearbeitet werden. Dadurch wird die Temperatur in ausgesuchten Bereichen des Substrats (2) verändert und ein Emissionssprofil der fertig gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (20) geglättet.
(EN)Disclosed is a method for growing semiconductor layers. In a step A, a support (1) is provided. In a step B, at least one substrate (2) is placed onto the support (1). Then in a step C, a growing process is carried out in which a semiconductor layer sequence (20) is grown on a main side of the substrate (2) facing away from the support (1). The fully grown semiconductor layer sequence (20) emits electromagnetic radiation during the intended operation. In an additional step D, a temperature-measuring process is carried out in which a temperature profile (3) of the substrate (2) which is present in the substrate (2) during the growing process is determined. Additionally, a step E is carried out in which the support (1) and/or the substrate (2) are processed in a controlled manner prior to or during the growing process. As a result, the temperature in selected regions of the substrate (2) is changed and an emissions profile of the fully grown semiconductor layer sequence (20) is leveled out.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la croissance d'épitaxie de couches semi-conductrices. Selon ledit procédé, dans une première étape, un support (1) est fourni. Dans une étape B, au moins un substrat (2) est appliqué sur ledit support (1). En outre, dans une étape C, un processus d'épitaxie est mis en œuvre, au cours duquel intervient la croissance épitaxiale d'un empilement de couches semi-conductrices (20) sur une face principale du substrat (2) opposée au support (1). L'empilement de couches semi-conductrices (20) dont la croissance est terminée émet en mode de fonctionnement conforme de rayonnement électromagnétique. Dans une autre étape D, un processus de mesure de température est conduit, au cours duquel est déterminé un profil de température (3) du substrat (2), qui apparait dans le substrat (2) pendant le processus de croissance d'épitaxie. En outre, une étape E est conduite au cours de laquelle le support (1) et/ou le substrat (2) sont usinés avant ou pendant le processus de croissance d'épitaxie. La température dans des zones sélectionnées du substrat (2) en est modifiée et un profil d'émission de l'empilement de couches semi-conductrices (20) dont la croissance d'épitaxie est terminée est lissé.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)