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1. (WO2016050432) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP

Pub. No.:    WO/2016/050432    International Application No.:    PCT/EP2015/069958
Publication Date: Fri Apr 08 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Wed Sep 02 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 33/00
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: GOTSCHKE, Tobias
OFF, Jürgen
PERZLMAIER, Korbinian
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist, die mit Saphir gebildet ist, - Aufbringen eines Maskenmaterials (2) auf die Aufwachsfläche (1a) des Aufwachssubstrats (1), - Strukturieren des Maskenmaterials (2) zu einer mehrfach zusammenhängenden Maskenschicht (21) durch Einbringen von Öffnungen (22) in das Maskenmaterial (2), wobei am Boden (23) zumindest mancher der Öffnungen (22) die Aufwachsfläche (1a) freigelegt wird, - Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) in die Öffnungen (22) und auf die Maskenschicht (21), - Vereinzeln zumindest der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder Halbleiterchip (10) laterale Abmessungen (L) aufweist und die lateralen Abmessungen (L) groß sind gegen einen mittleren Abstand (A) der Öffnungen (22) zur nächstliegenden Öffnung.