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1. (WO2016023780) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON DOTIERBEREICHEN IN EINER HALBLEITERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTES
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/023780    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/067842
Veröffentlichungsdatum: 18.02.2016 Internationales Anmeldedatum: 03.08.2015
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE)
Erfinder: HERMLE, Martin; (DE).
REICHEL, Christian; (DE).
BENICK, Jan; (DE).
MÜLLER, Ralph; (DE).
SCHROF, Julian; (DE)
Vertreter: DICKER, Jochen; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 215 893.1 11.08.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON DOTIERBEREICHEN IN EINER HALBLEITERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTES
(EN) METHOD FOR PRODUCING DOPING REGIONS IN A SEMICONDUCTOR LAYER OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE ZONES DOPÉES DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE D'UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: • A Implantieren eines ersten Dotierstoffs ersten Dotierungstyps in zumindest einen Implantationsbereich in der Halbleiterschicht, welcher Implantationsbereich an eine erste Seite der Halbleiterschicht grenzt; • B Aufbringen einer Dotierschicht, welche einen zweiten Dotierstoff zweiten Dotierungstyps enthält mittelbar oder unmittelbar zumindest auf die erste Seite der Halbleiterschicht, wobei der erste und zweite Dotierungstyp entgegengesetzt sind; • C Mittels Wärmeeinwirkung gleichzeitiges Eintreiben des zweiten Dotierstoffs aus der Dotierschicht in die Halbleiterschicht und einer oder mehrere der Vorgänge • • - Zumindest teilweise Aktivierung des implantierten Dotierstoffs im Implantationsbereich und/oder • - Zumindest teilweise Ausheilung von durch die Implantation erzeugten Kristallschäden in der Halbleiterschicht und/oder • - Eintreiben des ersten Dotierstoffs aus dem Implantationsbereich.
(EN)The invention relates to a method for producing doping regions in a semiconductor layer of a semiconductor component, wherein the method comprises the following steps: A) implanting a first dopant of a first doping type into at least one implantation region in the semiconductor layer, which implantation region adjoins a first side of the semiconductor layer; B) applying a doping layer, which contains a second dopant of a second doping type, indirectly or directly at least to the first side of the semiconductor layer, wherein the first and the second doping type are opposite; C) by the effect of heat, simultaneously driving the second dopant from the doping layer into the semiconductor layer and performing one or more of the processes of at least partially activating the implanted dopant in the implantation region and/or performing at least partial recovery of crystal damage in the semiconductor layer, which crystal damage was produced by the implantation, and/or driving in the first dopant from the implantation region.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de zones dopées dans une couche semi-conductrice d'un composant à semi-conducteur, le procédé comprenant les étapes suivantes consistant à : • A implanter un premier dopant d'un premier type de dopage dans au moins une zone d'implantation dans la couche semi-conductrice, laquelle délimite la zone d'implantation à une première face de la couche semi-conductrice; • B appliquer une couche de dopage, laquelle contient un deuxième dopant d'un deuxième type de dopage directement ou indirectement au moins sur la première face de la couche semi-conductrice, le premier et le deuxième type de dopage étant opposés; • C sous l'effet de la chaleur, enfoncer simultanément le deuxième dopant provenant de la couche de dopage dans la couche semi-conductrice, et une ou plusieurs des opérations consistant à • • - activer au moins en partie le dopant implanté dans la zone et/ou • - réparer au moins en partie les défauts cristallins produits par l'implantation dans la couche semi-conductrice et/ou • - enfoncer le premier dopant provenant de la zone d'implantation.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)