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1. (WO2016023683) VORRICHTUNG ZUM ANISOTROPEN ÄTZEN EINES SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER VORRICHTUNG ZUM ANISOTROPEN ÄTZEN EINES SUBSTRATS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/023683 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/065298
Veröffentlichungsdatum: 18.02.2016 Internationales Anmeldedatum: 06.07.2015
IPC:
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37
Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32
Gasgefüllte Entladungsröhren
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH[DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder: LAERMER, Franz; DE
Prioritätsdaten:
10 2014 216 195.914.08.2014DE
Titel (EN) DEVICE FOR ANISOTROPICALLY ETCHING A SUBSTRATE, AND METHOD FOR OPERATING A DEVICE FOR ANISOTROPICALLY ETCHING A SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE ANISOTROPE D'UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ POUR FAIRE FONCTIONNER UN DISPOSITIF DE GRAVURE ANISOTROPE D'UN SUBSTRAT
(DE) VORRICHTUNG ZUM ANISOTROPEN ÄTZEN EINES SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER VORRICHTUNG ZUM ANISOTROPEN ÄTZEN EINES SUBSTRATS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a device for etching a substrate and to a method for operating a device according to the invention. The device comprises: a first reaction chamber into which a first gas can be introduced; a second reaction chamber into which a second gas can be introduced; a coil device by means of which an electromagnetic alternating field can be generated; wherein at least one first reactive species can be generated by applying the electromagnetic alternating field to the first gas and at least one second reactive species can be generated by applying the electromagnetic alternating field to the second gas; a separating device by means of which a direct gas exchange between the first reaction chamber and the second reaction chamber is prevented; an etching chamber for receiving the substrate to be anisotropically etched; and a mixing device which is arranged and designed such that the reactive species enter the mixing device, are mixed together, and in the mixed state act on the substrate so as to anisotropically etch same in the etching chamber.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de gravure d'un substrat et un procédé pour faire fonctionner un dispositif selon l'invention. Le dispositif comprend : une première chambre de réaction dans laquelle un premier gaz peut être introduit ; une seconde chambre de réaction dans laquelle un second gaz peut être introduit ; un moyen formant bobine qui permet de générer un champ électromagnétique alternatif ; au moins une première espèce réactive peut être générée par application du champ électromagnétique alternatif sur le premier gaz, et au moins une seconde espèce réactive peut être générée par application du champ électromagnétique alternatif sur le deuxième gaz ; un dispositif de séparation qui permet d'empêcher un échange direct de gaz entre la première chambre de réaction et la seconde chambre de réaction ; une chambre de gravure destinée à recevoir le substrat à graver de façon anisotrope ; et un moyen de mélange qui est disposé et conçu de telle sorte que les espèces réactives pénètrent dans le moyen de mélange, se mêlent l'une à l'autre et, une fois mélangées, agissent sur le substrat dans la chambre de gravure pour effectuer la gravure anisotrope.
(DE) Die vorliegende Erfindung schafft eine Vorrichtung zum Ätzen eines Substrats sowie ein Verfahren zum Betreiben einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die Vorrichtung umfasst: eine erste Reaktionskammer, in welche ein erstes Gas einleitbar ist; eine zweiten Reaktionskammer, in welche ein zweites Gas einleitbar ist; eine Spuleneinrichtung, mittels welcher ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugbar ist; wobei mittels Beaufschlagen des ersten Gases mit dem elektromagnetischen Wechselfeld mindestens eine erste reaktive Spezies erzeugbar ist, und wobei mittels Beaufschlagen des zweiten Gases mit dem elektromagnetischen Wechselfeld mindestens eine zweite reaktive Spezies erzeugbar ist; einer Trenneinrichtung, mittels welcher ein direkter Gasaustausch zwischen der ersten Reaktionskammer und der zweiten Reaktionskammer unterbunden ist; einer Ätzkammer zur Aufnahme des anisotrop zu ätzenden Substrats; und einer Vermengungseinrichtung, welche derart angeordnet und ausgebildet ist, dass die reaktiven Spezies in die Vermengungseinrichtung eintreten, sich miteinander vermengen und miteinander vermengt in der Ätzkammer zum anisotropen Ätzen auf das Substrat einwirken.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)