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1. (WO2016020242) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BEARBEITEN EINES HALBLEITERMATERIALS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/020242    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/067395
Veröffentlichungsdatum: 11.02.2016 Internationales Anmeldedatum: 29.07.2015
IPC:
H01L 21/67 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: ORLOB, Matthias; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 215 404.9 05.08.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BEARBEITEN EINES HALBLEITERMATERIALS
(EN) METHOD AND DEVICE FOR TREATING A SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren (500) zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials (100), wobei das Verfahren (500) einen Schritt (504) des Entladens, einen Schritt (502) des Reinigens und einen Schritt (506) des Bereitstellens aufweist. Im Schritt (318, 336, 504) des Entladens wird das Halbleitermaterial (100) elektrostatisch entladen. Im Schritt (306, 322, 328, 332, 334, 502) des Reinigens werden Partikel (310) von dem Halbleitermaterial (100) entfernt. Im Schritt (340, 344, 346, 350, 506) des Bereitstellens wird das Halbleitermaterial (100) zur weiteren Verwendung bereitgestellt.
(EN)The invention relates to a method (500) for treating a semiconductor material (100), wherein the method (500) comprises a step (504) of discharging, a step (502) of purifying, and a step (506) of providing. In the step (318, 336, 504) of discharging, the semiconductor material (100) is electrostatically discharged. In the step (306, 322, 328, 332, 334, 502) of purifying, particles (310) are removed from the semiconductor material (100). In the step (340, 344, 346, 350, 506) of providing, the semiconductor material (100) is made available for further use.
(FR)L'invention concerne un procédé (500) de traitement d'un matériau semi-conducteur (100) ; le procédé (500) comprend une étape (504) de déchargement, une étape (502) de nettoyage et une étape (506) de mise à disposition. A l'étape (318, 336, 504) de déchargement, le matériau semi-conducteur (100) est déchargé de manière électrostatique. A l'étape (306, 322, 328, 332, 334, 502) de nettoyage, des particules (310) de matériau semi-conducteur (100) sont retirés. A l'étape (340, 344, 346, 350, 506) de mise à disposition le matériau semi-conducteur (100) est mis à dispositif pour une utilisation ultérieure.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)