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1. (WO2016012004) VERFAHREN ZUM MARKIEREN VON HALBLEITERSCHEIBEN SOWIE HALBLEITERSCHEIBE UND HALBLEITERSÄULE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/012004 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2015/100297
Veröffentlichungsdatum: 28.01.2016 Internationales Anmeldedatum: 13.07.2015
IPC:
H01L 23/544 (2006.01)
Anmelder: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG[DE/DE]; Johannes-Schmid-Str. 8 89143 Blaubeuren, DE
Erfinder: RASP, Michael; DE
KRÜMBERG, Jens; DE
JOOSS, Wolfgang; DE
Vertreter: HEYERHOFF GEIGER & PARTNER PATENTANWÄLTE PARTGMBB; Heiligenbreite 52 88662 Überlingen, DE
Prioritätsdaten:
10 2014 110 248.721.07.2014DE
Titel (EN) METHOD FOR MARKING SEMICONDUCTOR WAFERS, SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR COLUMN
(FR) PROCÉDÉ DE MARQUAGE DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEURS ET COLONNE DE SEMI-CONDUCTEURS
(DE) VERFAHREN ZUM MARKIEREN VON HALBLEITERSCHEIBEN SOWIE HALBLEITERSCHEIBE UND HALBLEITERSÄULE
Zusammenfassung: front page image
(EN) Disclosed is a method for marking semiconductor wafers (38), wherein a mark is formed on an edge surface (42) of the semiconductor wafers (38) by applying a marking paint (20) to the edge surface (42) of the semiconductor wafers (38), said marking paint (20) being resistant to an etching medium that etches the semiconductor wafers (38), whereupon at least the edge surface (42) of the semiconductor wafers (38) to which the marking paint (20) has been applied is etched using the etching medium, the applied marking paint being used as an etching barrier. Also disclosed are a semiconductor wafer and a semiconductor column.
(FR) L'invention concerne un procédé de marquage de plaquettes de semi-conducteurs (38) dans lequel une marque est formée sur une surface en bordure (42) des plaquettes de semi-conducteurs (38) ; un vernis de marquage (20), qui résiste à un agent d'attaque chimique attaquant les plaquettes de semi-conducteurs (38), est appliqué sur la surface de bord (42) des plaquettes de semi-conducteurs (38) afin de réaliser le marquage (10), et au moins la surface en bordure (42) des plaquettes de semi-conducteurs (38), sur laquelle la peinture de marquage (20) a été appliquée, est attaquée par la suite par l'agent d'attaque chimique et la peinture de marquage appliquée est utilisée comme barrière vis-à-vis de l'attaque chimique. L'invention concerne également une plaquette de semi-conducteurs et une colonne de semi-conducteurs.
(DE) Verfahren zum Markieren von Halbleiterscheiben (38), bei welchem auf einer Kantenfläche (42) der Halbleiterscheiben (38) eine Markierung ausgebildet wird, wobei zur Ausbildung der Markierung ein gegenüber einem die Halbleiterscheiben (38) ätzenden Ätzmedium beständiger Markierungslack (20) auf die Kantenfläche (42) der Halbleiterscheiben (38) aufgebracht (10) wird und zumindest diejenige Kantenfläche (42) der Halbleiterscheiben (38), auf welche der Markierungslack (20) aufgebracht wurde, nachfolgend mittels des Ätzmediums geätzt und hierbei der aufgebrachte Markierungslack als Ätzbarriere verwendet wird, sowie Halbleiterscheibe und Halbleitersäule.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)