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1. (WO2016009019) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND ORGANISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/009019    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/066356
Veröffentlichungsdatum: 21.01.2016 Internationales Anmeldedatum: 16.07.2015
IPC:
H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/44 (2006.01), H01L 27/30 (2006.01)
Anmelder: BELECTRIC OPV GMBH [DE/DE]; Wadenbrunner Str. 10 97509 Kolitzheim (DE)
Erfinder: EGELHAAF, Hans-Joachim; (DE).
HOTH, Claudia; (DE).
MEIER, Sebastian; (DE).
PÄTZOLD, Ralph; (DE).
SCHILINSKY, Pavel; (DE).
WAGNER, Michael; (DE)
Vertreter: FDST PATENTANWÄLTE; Nordostpark 16 90411 Nürnberg (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 213 978.3 17.07.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND ORGANISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Halbleiterbauteiles (2), insbesondere eines OPV-Moduls, das als Mehrschichtstruktur gefertigt wird, umfassend eine obere Elektrode (4), eine untere Elektrode (6) und eine zwischen den Elektroden (4, 6) angeordnete aktive Schicht (8), wobei zur elektrischen Verbindung der beiden Elektroden (4, 6) eine Durchkontaktierung (18) ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchkontaktierung (18) durch eine leitfähige Tinte (22) gebildet ist, welche lediglich in einem für die Durchkontaktierung (18) vorgegebenen Druckbereich (D) aufgedruckt wird. Desweiteren betrifft die Erfindung ein mittels eines solchen Verfahrens hergestelltes organisches Halbleiterbauteil (2).
(EN)The invention relates to a method for manufacturing an organic semiconductor component (2), in particular an OPV module with a multilayered structure, comprising an upper electrode (4), a lower electrode (6) and an active layer (8) located between the electrodes (4, 6), an electrical via (18) being provided for electrically interconnecting the two electrodes (4, 6), the method being characterised in that the electrical via (18) is formed by a conductive ink (22) with which only a predetermined printing zone (D) provided for the via (18) is printed. The invention further relates to an organic semiconductor component (2) manufactured according to this method.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur organique (2), notamment un module OPV, qui est fabriqué en tant que structure à plusieurs couches, comprenant une électrode supérieure (4), une électrode inférieure (6) et une couche active (8) disposée entre les électrodes (4, 6), un contact traversant (18) étant conçu pour la liaison électrique des deux électrodes (4, 6), caractérisé par le fait que la mise en contact traversant (18) est réalisée par une encre conductrice (22), qui est imprimée uniquement dans une zone d'impression (D) prédéterminée pour la mise en contact traversant (18). L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur organique (2) fabriqué au moyen d'un tel procédé.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)