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1. (WO2016005464) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VORRICHTUNG MIT MIKRO- ODER NANOSTRUKTUREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/005464 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/065629
Veröffentlichungsdatum: 14.01.2016 Internationales Anmeldedatum: 08.07.2015
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/482 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/525 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,B81B 7/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768
Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
482
bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
3205
Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52
Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522
einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
525
mit anpassbaren Verbindungsleitungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
B
Mikrostrukturbauelemente oder -systeme, z.B. mikromechanische Bauelemente
3
Bauelemente mit flexiblen oder verformbaren Bestandteilen, z.B. mit elastischen Zungen oder Membranen
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
B
Mikrostrukturbauelemente oder -systeme, z.B. mikromechanische Bauelemente
7
Mikrostruktursysteme
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.[DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Erfinder: GOEHLICH, Andreas; DE
JUPE, Andreas; DE
VOGT, Holger; DE
Vertreter: ZINKLER, Franz; DE
Prioritätsdaten:
102014213390.409.07.2014DE
Titel (EN) DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A DEVICE WITH MICRO- OR NANOSTRUCTURES
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF COMPORTANT DES MICRO- OU NANOSTRUCTURES
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VORRICHTUNG MIT MIKRO- ODER NANOSTRUKTUREN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a device by providing a substrate with an electrode which is exposed on a main side of the substrate. The method further has the steps of forming a micro- or nanostructure which has a spacer based on the electrode, said formation process having the following steps: depositing a sacrificial layer on the main side, said sacrificial layer containing amorphous silicon (a-Si) or silicon dioxide (SiO2); structuring a hole and/or trench into the sacrificial layer by means of a DRiE process; coating the sacrificial layer by means of ALD or MOCVD such that the material of the nano- or microstructure is formed on the hole and/or trench, and removing the sacrificial layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de production d'un substrat comprenant une électrode qui est dénudée au niveau d'une face principale du substrat. En outre, le procédé comprend la formation d'une micro- ou nanostructure qui comporte un élément d'écartement qui repose sur l'électrode, la formation comportant les étapes consistant à : déposer une couche sacrificielle sur la face principale, la couche sacrificielle contenant du silicium amorphe (a-Si) ou dioxyde de silicium (SiO2) ; structurer un trou et/ou une tranchée dans la couche sacrificielle à l'aide d'un processus DRiE ; revêtir la couche sacrificielle par ALD ou MOCVD de façon à former le matériau de la nano- ou microstructure au niveau du trou et/ou de la tranchée ; et éliminer la couche sacrificielle.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit Bereitstellen eines Substrats mit einer Elektrode beschrieben, die an einer Hauptseite des Substrats freiliegt. Ferner umfasst das Verfahren das Bilden einer Mikro- oder Nanostruktur, die einen Abstandshalter aufweist, der auf der Elektrode fußt, wobei das Bilden folgende Schritte aufweist: Abscheiden einer Opferschicht auf der Hauptseite, wobei die Opferschicht amorphes Silizium (a-Si) oder Siliziumdioxid (SiO2) enthält; Strukturieren eines Loches und/oder Grabens in die Opferschicht mittels eines DRiE-Prozesses; Beschichten der Opferschicht mittels ALD oder MOCVD, so dass sich Material der Nano- oder Mikrostruktur an dem Loch und/oder Graben bildet sowie Entfernen der Opferschicht.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)