Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2016001132) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON UNTERSCHIEDLICH DOTIERTEN BEREICHEN IN EINEM SILIZIUMSUBSTRAT, INSBESONDERE FÜR EINE SOLARZELLE

Pub. No.:    WO/2016/001132    International Application No.:    PCT/EP2015/064688
Publication Date: Fri Jan 08 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue Jun 30 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 31/068
H01L 21/225
H01L 31/18
Applicants: UNIVERSITÄT KONSTANZ
Inventors: GLOGER, Sebastian
TERHEIDEN, Barbara
SOMMER, Daniel
HERGUTH, Axel
ENGELHARDT, Josh
Title: VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON UNTERSCHIEDLICH DOTIERTEN BEREICHEN IN EINEM SILIZIUMSUBSTRAT, INSBESONDERE FÜR EINE SOLARZELLE
Abstract:
Ein Verfahren zum Erzeugen von wenigstens zwei unterschiedlich stark überwiegend mit einem ersten Dotanden-Typ dotierten Teilbereichen (3, 5) in einem Siliziumsubstrat (1), insbesondere für eine Solarzelle, umfassend: - Bedecken wenigstens eines ersten Teilbereichs (3) des Siliziumsubstrats, in dem eine stärkere Dotierung mit dem ersten Dotanden-Typ erzeugt werden soll, mit einer dotierenden Schicht (7) aus Borsilikatglas, wobei wenigstens ein zweiter Teilbereich (5) des Siliziumsubstrats, in dem eine schwächere Dotierung mit dem ersten Dotanden-Typ erzeugt werden soll, nicht mit der dotierenden Schicht bedeckt wird und wobei in die Schicht Bor als Dotand eines zweiten Dotanden-Typs, der dem ersten Dotanden-Typ entgegengesetzt polarisiert ist, eingelagert ist; und Erhitzen des derart vorbereiteten Siliziumsubstrates in einem Ofen in einer Atmosphäre des ersten Dotanden-Typs. Das Verfahren nutzt die Beobachtung, dass eine Borsilikatglasschicht ein Eindiffundieren von Phosphor aus einer Gasatmosphäre zu begünstigen scheint.