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1. (WO2015197729) VERFAHREN ZUM WACHSTUM VON VERTIKAL AUSGERICHTETEN EINWANDIGEN KOHLENSTOFFNANORÖHREN MIT GLEICHEN ELEKTRONISCHEN EIGENSCHAFTEN SOWIE ZUM VERVIELFÄLTIGEN VON EINWANDIGEN KOHLENSTOFFNANORÖHREN MIT GLEICHEN ELEKTRONISCHEN EIGENSCHAFTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/197729    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/064311
Veröffentlichungsdatum: 30.12.2015 Internationales Anmeldedatum: 24.06.2015
IPC:
C01B 31/02 (2006.01)
Anmelder: TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN [DE/DE]; Helmholtzstr. 10 01069 Dresden (DE)
Erfinder: BEZUGLY, Viktor; (DE).
BEZUGLY, Eugenia; (DE).
KHAVRUS, Vyacheslav; (DE).
KRYLOV, Denis; (DE).
CUNIBERTI, Gianaurelio; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG & PARTNER MBB; An der Frauenkirche 20 01067 Dresden (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 212 077.2 24.06.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM WACHSTUM VON VERTIKAL AUSGERICHTETEN EINWANDIGEN KOHLENSTOFFNANORÖHREN MIT GLEICHEN ELEKTRONISCHEN EIGENSCHAFTEN SOWIE ZUM VERVIELFÄLTIGEN VON EINWANDIGEN KOHLENSTOFFNANORÖHREN MIT GLEICHEN ELEKTRONISCHEN EIGENSCHAFTEN
(EN) METHOD FOR GROWING VERTICALLY ORIENTED SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES WITH THE SAME ELECTRONIC PROPERTIES AND FOR REPRODUCING SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES WITH THE SAME ELECTRONIC PROPERTIES
(FR) PROCÉDÉ POUR LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE MONOPAROI, ORIENTÉS VERTICALEMENT, À PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES IDENTIQUES, ET POUR LA MULTIPLICATION DE NANOTUBES DE CARBONE MONOPAROI, À PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES IDENTIQUES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vervielfältigen von mindestens einer einwandigen Kohlenstoffnanoröhre (3) mit vorgegebenen elektronischen Eigenschaften oder mehreren einwandigen Kohlenstoffnanoröhren (3) mit gleichen elektronischen Eigenschaften. Es wird hierzu eine Dispersion (2) erzeugt und durch Energieeintrag in der Dispersion (2) enthaltene Kohlenstoffnanoröhren (3) zu Fragmenten (6) verarbeitet. Diese Fragmente (6) werden auf einen Träger (7) aufgebracht und ausgerichtet. Nachfolgend werden die Fragmente (6) durch chemische Gasphasenabscheidung verlängert und somit die ursprünglich vorliegenden Kohlenstoffnanoröhren (3) vervielfältigt.
(EN)The present invention relates to a method for reproducing at least one single-walled carbon nanotube (3) with predetermined electronic properties or a plurality of single-walled carbon nanotubes (3) with the same electronic properties. For this purpose, a dispersion (2) is produced and carbon nanotubes (3) contained in the dispersion (2) are processed into fragments (6) by inputting energy. Said fragments (6) are applied to a carrier (7) and oriented. Consequently, the fragments (6) are extended by chemical gas phase deposition and, hence, the originally present carbon nanotubes (3) are reproduced.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la multiplication d'au moins un nanotube de carbone monoparoi (3), à propriétés électroniques prédéfinies, ou de plusieurs nanotubes de carbone monoparoi (3) à propriétés électroniques identiques. A cet effet, une dispersion (2) est produite et, par apport d'énergie, les nanotubes de carbone (3) contenus dans la dispersion sont réduits en fragments (6). Ces fragments (6) sont amenés et orientés sur un support (7). Par la suite, les fragments (6) sont rallongés par dépôt chimique en phase gazeuse et, de ce fait, les nanotubes de carbone (3) d'origine sont multipliés.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)