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1. (WO2015185440) P-DOTIERENDE VERNETZUNG ORGANISCHER LOCHLEITER

Pub. No.:    WO/2015/185440    International Application No.:    PCT/EP2015/061873
Publication Date: Fri Dec 11 00:59:59 CET 2015 International Filing Date: Fri May 29 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 51/54
H01L 51/30
H01L 51/46
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Inventors: SCHMID, Günter
MALTENBERGER, Anna
PECQUEUR, Sébastien
Title: P-DOTIERENDE VERNETZUNG ORGANISCHER LOCHLEITER
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung lochleitender elektrischer Schichten, in dem eine funktionalisierte organische Matrixverbindung mit mindestens einem Vernetzungsreagenz auf einem Substrat unter Ausbildung höhermolekularer Verbindungen zur Reaktion gebracht wird, wobei die funktionalisierte organische Matrixverbindung folgender Formel 1 entspricht, wobei 1 L eine Bindung oder ausgesucht ist aus der Gruppe umfassend substituierte oder nicht substituierte, gesättigte oder ungesättigte C1-C50 Alkyl-, Aryl-, Polyethylenglykol-, Polyethylendiamin-, Polyester-, Polyurethan-, Polyvinylidenphenyl-Ketten oder Mischungen daraus; E1, E2 unabhängig voneinander Sauerstoff, Schwefel, Selen, NH oder NE3 sein können, wobei E3 ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend substituiertes oder nicht substituiertes Alkyl oder Aryl, wobei E3 mit R verbunden sein kann; R ausgesucht ist aus der Gruppe umfassend H, D, C1-C10 Alkyl- oder Aryl-Silylester, fluorierte oder nicht-fluorierte verzweigte oder unverzweigte C1-C10 Alkyl, Aryl oder Heteroaryl, RHTL das Grundgerüst eines organischen Lochleiters ist, und das Vernetzungsreagenz mindestens ein Metallatom aus den Gruppen 13-15 und mindestens einen organischen Liganden umfasst.