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Veröff.-Nr.: WO/2015/181072 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/061388
Veröffentlichungsdatum: 03.12.2015 Internationales Anmeldedatum: 22.05.2015
IPC:
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/30 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
46
Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
58
Bestandteile zur Formung optischer Felder
60
Reflektierende Bestandteile
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder: BAUER, Adam; DE
MÖNCH, Wolfgang; DE
RACZ, David; DE
WITTMANN, Michael; DE
SCHULTEN, Dominik; DE
LÖFFLER, Andreas; DE
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss NR. 175 Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2014 107 472.627.05.2014DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND ILLUMINATION DEVICE
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed is a semiconductor component (1) comprising a semiconductor chip (2) provided for generating a primary radiation having a first peak wavelength, and a radiation conversion element (3) on the semiconductor chip (2). The radiation conversion element (3) includes a quantum structure (30) which converts at least some of the primary radiation into secondary radiation having a second peak wavelength, and a substrate (35) that is permeable to the primary radiation. Also disclosed is an illumination device (11) comprising a semiconductor component (1) of said type.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur (1) ayant une puce semi-conductrice (2) dotée d'une première longueur d'onde de pic pour générer un rayonnement primaire, et un élément de conversion de rayonnement (3), qui est disposé sur la puce semi-conductrice (2). L'élément de conversion de rayonnement (3) comporte une structure quantique (30), qui convertit au moins partiellement le rayonnement primaire en rayonnement secondaire avec une seconde longueur d'onde de pic, et un substrat (35) qui laisse passer le rayonnement primaire. L'invention concerne en outre un dispositif d'éclairage (11) comportant un tel composant semi-conducteur (1).
(DE) Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einem zur Erzeugung einer Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge vorgesehenen Halbleiterchip (2) und einem Strahlungskonversionselement (3), das auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, angegeben. Das Strahlungskonversionselement (3) weist eine Quantenstruktur (30), die die Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge umwandelt, und ein für die Primärstrahlung durchlässiges Substrat (35) auf. Weiterhin wird eine Beleuchtungsvorrichtung (11) mit einem solchen Halbleiterbauelement (1) angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)