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1. (WO2015180820) HOCHFREQUENZDICHTES GEHÄUSE, INSBESONDERE HOCHFREQUENZDICHTES FILTERGEHÄUSE

Pub. No.:    WO/2015/180820    International Application No.:    PCT/EP2015/000932
Publication Date: Fri Dec 04 00:59:59 CET 2015 International Filing Date: Fri May 08 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01P 1/205
H05K 9/00
Applicants: KATHREIN-WERKE KG
Inventors: GÖTTL, Maximilian
HAUNBERGER, Thomas
STOLLE, Manfred
Title: HOCHFREQUENZDICHTES GEHÄUSE, INSBESONDERE HOCHFREQUENZDICHTES FILTERGEHÄUSE
Abstract:
Ein verbessertes hochfrequenzdichtes Gehäuse zeichnet sich unter anderem durch folgende Merkmale aus: zwischen dem Gehäusedeckel (17) und dem Gehäuse (3) sind mehrere versetzt zueinander angeordnete Kontaktabschnitte (K; KG; KD) gebildet oder vorgesehen, zwischen den Kontaktabschnitten (K; KG; KD) sind galvanische Trennabschnitte (T; TG; TD) gebildet oder vorgesehen, in deren Bereichen der Gehäusedeckel (17) und das Gehäuse (3) galvanisch getrennt sind, und die Schraubverbindungen (25) sind in den Kontaktabschnitten (K; KG; KD) vorgesehen, in deren Bereichen der Gehäusedeckel (17) mit dem Gehäuse (3) galvanisch kontaktiert ist.