Rückmeldung
Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2015161868 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PRÄGEN EINER NANOSTRUKTUR

PermaLink
Veröffentlichungsnummer WO/2015/161868
Veröffentlichungsdatum 29.10.2015
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2014/058141
Internationales Anmeldedatum 22.04.2014
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 30.06.2015
IPC
G03F 7/00 2006.1
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
CPC
B41F 19/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
FPRINTING MACHINES OR PRESSES
19Apparatus or machines for carrying out printing operations combined with other operations
02with embossing
G03F 7/0002
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
G03F 7/70733
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
G03F 7/70783
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70783Stress or warp of chucks, mask or workpiece, e.g. to compensate for imaging error
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
H01L 29/0665
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
Anmelder
  • EV GROUP E. THALLNER GMBH [AT]/[AT]
Erfinder
  • KREINDL, Gerald
Vertreter
  • BECKER & MÜLLER PATENTANWÄLTE
Prioritätsdaten
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PRÄGEN EINER NANOSTRUKTUR
(EN) METHOD AND DEVICE FOR EMBOSSING A NANOSTRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MARQUAGE D'UNE NANOSTRUCTURE
front page image
Zusammenfassung
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Prägen einer Nanostruktur (13) von einem Nanostrukturstempel (5) in eine Stempelfläche (14) eines auf ein Substrat (7) aufgebrachten, aushärtbaren Materials (8) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: Ausrichten der Nanostruktur (13) gegenüber der Stempelfläche (14), Prägen der Stempelfläche (14) durch A) Vorspannung des Nanostrukturstempels (5) durch Verformung des Nanostrukturstempels (5) und/oder Vorspannung des Substrats (7) durch Verformung des Substrats (7), B) Kontaktieren einer Teilfläche (15) der Stempelfläche (14) mit dem Nanostrukturstempel (5) und C) selbsttätiges Kontaktieren der Restfläche (16) zumindest teilweise, insbesondere überwiegend, durch die Vorspannung des Nanostrukturstempels (5) und/oder die Vorspannung des Substrats (7).
(EN) The present invention relates to a method for embossing a nanostructure (13) from a nanostructure stamp (5) into a stamp face (14) of a curable material (8) applied on a substrate (7) with the following steps, in particular in the following sequence: aligning the nanostructure (13) with respect to the stamp face (14), embossing the stamp face (14) by A) preloading the nanostructure stamp (5) by deforming the nanostructure stamp (5) and/or preloading the substrate (7) by deforming the substrate (7), B) contacting a partial area (15) of the stamp face (14) with the nanostructure stamp (5), and C) automatic contacting of the remaining area (16) at least partially, in particular predominantly, by the preloading of the nanostructure stamp (5) and/or the preloading of the substrate (7).
(FR) La présente invention concerne un procédé de marquage d'une nanostructure (13) au moyen d'une matrice nano-structurée (5) dans une surface (14) d'une matière durcissable (8) appliquée sur un substrat (7), ledit procédé comprenant les étapes suivantes, en particulier la séquence suivante, consistant à : aligner la nanostructure (13) par rapport à la surface (14) de la matrice, marquer la surface (14) de la matrice par A) précontrainte de la matrice nan-structurée (5) par déformation de la matrice nano-structurée (5) et/ou précontrainte du substrat (7) par déformation du substrat (7), B) mettre en contact une partie (15) de la surface (14) de la matrice avec la matrice nano-structurée (5) et C) mettre en contact automatiquement la surface restante (16) au moins partiellement, en particulier principalement, par précontrainte de la matrice nano-structurée (5) et/ou précontrainte du substrat (7).
Verwandte Patentdokumente
SG11201608362T
US20170001431
EP3134771
CN106462053
KR1020160145599
JP2017516302
KR1020210050597
KR1020220058671
US20190022999
US20200047485
US20210129520
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten
# -