Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2015132028) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG REINER OCTACHLORTRISILANE UND DECACHLORTETRASILANE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2015/132028 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/052120
Veröffentlichungsdatum: 11.09.2015 Internationales Anmeldedatum: 03.02.2015
IPC:
C01B 33/107 (2006.01) ,B01J 19/02 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C01G 17/04 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
01
Anorganische Chemie
B
Nichtmetallische Elemente; deren Verbindungen
33
Silicium; dessen Verbindungen
08
Verbindungen, die Halogene enthalten
107
halogenierte Silane
B Arbeitsverfahren; Transportieren
01
Physikalische oder chemische Verfahren oder Vorrichtungen allgemein
J
Chemische oder physikalische Verfahren, z.B. Katalyse, Kolloidchemie; entsprechende Vorrichtungen hierfür
19
Chemische, physikalische oder physiko-chemische Verfahren allgemein; entsprechende Vorrichtungen hierfür
02
Apparate, gekennzeichnet durch die Herstellung aus einem wegen seiner chemischen Widerstandsfähigkeit ausgewählten Material
B Arbeitsverfahren; Transportieren
01
Physikalische oder chemische Verfahren oder Vorrichtungen allgemein
J
Chemische oder physikalische Verfahren, z.B. Katalyse, Kolloidchemie; entsprechende Vorrichtungen hierfür
19
Chemische, physikalische oder physiko-chemische Verfahren allgemein; entsprechende Vorrichtungen hierfür
08
Verfahren mit direkter Anwendung von Elektro- oder Wellenenergie oder von Teilchenstrahlung; Vorrichtungen hierfür
C Chemie; Hüttenwesen
01
Anorganische Chemie
G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F105
17
Verbindungen des Germaniums
04
Halogenide
Anmelder:
MARINAS PÉREZ, Janaina [ES/DE]; DE (US)
RAULEDER, Hartwig [DE/DE]; DE (US)
LANG, Jürgen Erwin [DE/DE]; DE (US)
GÖTZ, Christian; TW (US)
UEHLENBRUCK, Goswin [DE/DE]; DE (US)
EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen, DE (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Erfinder:
MARINAS PÉREZ, Janaina; DE
RAULEDER, Hartwig; DE
LANG, Jürgen Erwin; DE
GÖTZ, Christian; TW
UEHLENBRUCK, Goswin; DE
Prioritätsdaten:
102014203810.303.03.2014DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING PURE OCTACHLOROTRISILANE AND DECACHLOROTETRASILANES
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'OCTACHLOROTRISILANES ET DE DÉCACHLOROTETRASILANES
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG REINER OCTACHLORTRISILANE UND DECACHLORTETRASILANE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing trimeric and/or quaternary silicon compounds or trimeric and/or quaternary germanium compounds. A mixture of silicon compounds or a mixture of germanium compounds is exposed to a non-thermal plasma and the resulting phase is subjected, at least once to vacuum rectification and filtration.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de composés de silicium trimères et/ou quaternaires ou des composés de germanium trimères et/ou quaternaires, un mélange de composés de silicium ou un mélange de composés de germanium étant exposés à un plasma non thermique, et la phase résultante étant soumise au moins une fois à une rectification sous vide et à une filtration.
(DE) Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von trimeren und/oder quartären Siliciumverbindungen oder von trimeren und/oder quartären Germaniumverbindungen, wobei ein Gemisch aus Siliciumverbindungen oder ein Gemisch aus Germaniumverbindungen einem nichtthermischen Plasma ausgesetzt wird, und die resultierende Phase zumindest einmal einer Vakuum-Rektifikation und Filtrationunterzogen wird.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)