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1. (WO2015128319) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL

Pub. No.:    WO/2015/128319    International Application No.:    PCT/EP2015/053818
Publication Date: Fri Sep 04 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Wed Feb 25 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 33/00
H01L 33/12
H01L 33/20
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: HERTKORN, Joachim
BERGBAUER, Werner
DRECHSEL, Philipp
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (50) mit einer Aufwachsfläche (51) an einer Aufwachsseite (50a), - Aufwachsen einer ersten nitridischen Halbleiterschicht (10) an der Aufwachsseite, - Aufwachsen einer zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) auf die erste nitridische Halbleiterschicht (10), wobei die zweite nitridische Halbleiterschicht (20) zumindest eine Öffnung (21) aufweist oder zumindest eine Öffnung (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) erzeugt wird oder während des Aufwachsens zumindest eine Öffnung (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) entsteht, - Entfernen zumindest eines Teils der ersten nitridischen Halbleiterschicht (10) durch die Öffnungen (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20), - Aufwachsen einer dritten nitridischen Halbleiterschicht (30) auf die zweite nitridische Halbleiterschicht (20), wobei die dritte nitridische Halbleiterschicht (30) die Öffnungen (21) zumindest stellenweise überdeckt.