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1. (WO2015124719) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERBAUTEILE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/124719    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/053602
Veröffentlichungsdatum: 27.08.2015 Internationales Anmeldedatum: 20.02.2015
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: GÖÖTZ, Britta; (DE).
SINGER, Frank; (DE).
HÖPPEL, Lutz; (DE).
MOOSBURGER, Jürgen; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 102 293.9 21.02.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERBAUTEILE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile (100) angegeben, wobei ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (11) bereitgestellt wird. Ferner werden mehrere vereinzelte optoelektronische Halbleiterchips (2) bereitgestellt, wobei die Halbleiterchips (2) jeweils eine Hauptemissionsseite (21) und eine der Hauptemissionsseite (21) gegenüberliegende Kontaktseite (22) aufweisen. Die vereinzelten Halbleiterchips (2) werden anschließend auf die Trägerhauptseite (11) aufgebracht, sodass jeweils die Kontaktseite (22) der Trägerhauptseite (11) zugewandt ist. In Bereichen zwischen den Halbleiterchips wird ein Maskenrahmen (3) aufgebracht, wobei der Maskenrahmen (3) ein Gitter aus Trennwänden (31) ist. In Draufsicht auf die Trägerhauptseite (11) ist jeder Halbleiterchip (2) ringsum von den Trennwänden (31) umgeben. Die Halbleiterchips (2) werden mit einem Konversionsmaterial (4) so vergossen, dass sich auf den Halbleiterchips (2) jeweils ein Konversionselement (41) bildet. Das Konversionselement (41) bedeckt dabei zumindest teilweise die Hauptemissionsseite (21) des jeweiligen Halbleiterchips (2). Anschließend wird der Träger (1) entfernt. In einem weiteren Schritt werden die optoelektronischen Halbleiterbauteile (100) aus dem Maskenrahmen (3) herausgelöst, wobei der Maskenrahmen (3) zerstört wird.
(EN)A method for producing optoelectronic semiconductor components (100) is specified, wherein a carrier (1) having a carrier main side (11) is provided. Furthermore, a plurality of singulated optoelectronic semiconductor chips (2) are provided, wherein the semiconductor chips (2) each have a main emission side (21) and a contact side (22) opposite the main emission side (21). The singulated semiconductor chips (2) are then applied to the carrier main side (11), such that the contact side (22) in each case faces the carrier main side (11). In regions between the semiconductor chips, a mask frame (3) is applied, wherein the mask frame (3) is a grid of partitions (31). In a plan view of the carrier main side (11), each semiconductor chip (2) is surrounded all around by the partitions (31). The semiconductor chips (2) are potted with a conversion material (4) such that a conversion element (41) is respectively formed on the semiconductor chips (2). In this case, the conversion element (41) at least partly covers the main emission side (21) of the respective semiconductor chip (2). The carrier (1) is then removed. In a further step, the optoelectronic semiconductor components (100) are detached from the mask frame (3), the mask frame (3) being destroyed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de composants à semi-conducteur optoélectronique (100). Dans ce procédé, on prépare un support (1) qui possède une face principale (11). On prépare également plusieurs puces de semi-conducteur optoélectronique (2) individualisées qui possèdent chacune une face d'émission principale (21) et une face de contact (22) située à l'opposé de la face d'émission principale (21). Ensuite, on dépose les puces de semi-conducteur (2) individualisées sur la face principale (11) du support de façon que la face de contact (22) soit à chaque fois tournée vers la face principale (11) du support. Dans les zones entre les puces de semi-conducteur, on dépose un cadre de masquage (3) qui se présente sous la forme d'une grille de parois séparatrices (31). Dans une vue de dessus de la face principale (11) du support, chaque puce de semi-conducteur (2) est entourée de tous côtés par les parois séparatrices (31). On surmoule les puces de semi-conducteur (2) au moyen d'un matériau de conversion (4) de façon à former un élément de conversion (41) respectif sur les puces de semi-conducteur (2). L'élément de conversion (41) recouvre au moins en partie la face d'émission principale (21) de chaque puce de semi-conducteur (2). Ensuite on retire le support (1). Dans une autre étape, on sépare les composants à semi-conducteur optoélectronique (100) du cadre de masquage (3), en détruisant ce dernier.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)