WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2015113641) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BONDEN VON SUBSTRATEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/113641    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/052037
Veröffentlichungsdatum: 06.08.2015 Internationales Anmeldedatum: 03.02.2014
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    09.02.2015    
IPC:
H01L 21/67 (2006.01)
Anmelder: EV GROUP E. THALLNER GMBH [AT/AT]; DI Erich Thallner Straße 1 A-4782 St. Florian am Inn (AT)
Erfinder: LINDNER, Friedrich Paul; (AT)
Vertreter: SCHWEIGER, Johannes; Becker & Müller Patentanwälte Turmstraße 22 40878 Ratingen (DE)
Prioritätsdaten:
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BONDEN VON SUBSTRATEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR BONDING SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LIAISON DE SUBSTRATS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine korrespondierende Vorrichtung zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (35k) eines ersten Substrats (35) mit einer zweiten Kontaktfläche (36k) eines zweiten Substrats (36) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Anordnung eines aus dem ersten Substrat (35) und dem zweiten Substrat (36) gebildeten, an den Kontaktflächen (35k, 36k) ausgerichteten Substratstapels (14) zwischen einer ersten Heizfläche (15) einer ersten Heizeinrichtung (30) und einer zweiten Heizfläche (19) einer zweiten Heizeinrichtung (26), wobei e) die erste Heizfläche (15) einer von der ersten Kontaktfläche (35k) abgewandten ersten Oberfläche (35o) des ersten Substrats (35) zugewandt angeordnet wird, f) die zweite Heizfläche (19) einer von der zweiten Kontaktfläche (36k) abgewandten zweiten Oberfläche (36o) des zweiten Substrats (36) zugewandt angeordnet wird, g) zwischen der ersten Oberfläche (35 o) und der ersten Heizfläche (15) ein Abstand A > 0μm vorliegt und h) zwischen zweiten Oberfläche (36o) und der zweiten Heizfläche (19) ein Abstand B > Ομm vorliegt, - Heizen der Heizflächen (15, 19) und Annähern des Substratstapels (14) an die Heizflächen (15, 19) durch Verringerung der Abstände A und B auf 0μm, Ausbildung eines Bonds zwischen der ersten Kontaktfläche (35k) und zweiten Kontaktfläche (36k) durch Druckbeaufschlagung des Substratstapels (14) an den Oberflächen (35o, 36o).
(EN)The present invention relates to a method and a corresponding device for bonding a first contact face (35k) of a first substrate (35) to a second contact face (36k) of a second substrate (36), comprising the following steps, in particular in the following order: - arranging a substrate stack (14), which is formed of the first substrate (35) and the second substrate (36) and is oriented on the contact faces (35k, 36k), between a first heating face (15) of a first heating device (30) and a second heating face (19) of a second heating device (26), wherein e) the first heating face (15) is arranged facing toward a first surface (35o) of the first substrate (35), which first surface faces away from the first contact face (35k), f) the second heating face (19) is arranged facing toward a second surface (36o) of the second substrate (36), which second surface faces away from the second contact face (36k), g) a distance A > 0 μm exists between the first surface (35o) and the first heating face (15), and h) a distance B > 0 μm exists between the second surface (36o) and the second heating face (19), - heating the heating faces (15, 19) and moving the substrate stack (14) closer to the heating faces (15, 19) by reducing the distances A and B to 0 μm, forming a bond between the first contact face (35k) and the second contact face (36k) by applying pressure to the substrate stack (14) at the surfaces (35o, 36o).
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif correspondant servant à relier une première surface de contact (35k) d'un premier substrat (35) à une deuxième surface de contact (36k) d'un deuxième substrat (36). Ledit procédé comprend les étapes suivantes, en particulier le déroulement suivant : - l'agencement d'une première pile (14) de substrats, formée du premier substrat (35) et du deuxième substrat (36), et orientée sur les surfaces de contact (35k, 36k) entre une première surface de chauffe (15) d'un premier dispositif de chauffage (30) et une deuxième surface de chauffe (19) d'un deuxième dispositif de chauffage (26), e) la première surface de chauffe (15) étant tournée vers une première surface (35o) du premier substrat (35) opposée à la première surface de contact (35k), f) la deuxième surface de chauffe (19) étant tournée vers une deuxième surface (36o) du deuxième substrat (36) opposée à la deuxième surface de contact (36k), g) un écart A > 0 μm étant présent entre la première surface (35 o) et la première surface de chauffe (15) et h) un écart B > Ο μm étant présent entre la deuxième surface (36o) et la deuxième surface de chauffe (19) ; - le chauffage des surfaces de chauffe (15, 19) et le rapprochement de la pile (14) de substrats des surfaces de chauffe (15, 19) par diminution des écarts A et B à 0 μm ; et la formation d'une liaison entre la première surface de contact (35k) et la deuxième surface de contact (36k) par application d'une pression par la pile (14) de substrats sur les surfaces (35o, 36o).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)