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1. (WO2015075214) REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT, SOWIE OPTISCHES SYSTEM EINER MIKROLITHOGRAPHISCHEN PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/075214    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/075356
Veröffentlichungsdatum: 28.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 24.11.2014
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G21K 1/06 (2006.01)
Anmelder: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
ENKISCH, Hartmut [DE/DE]; (DE) (US only).
PAUL, Hans-Jochen [DE/DE]; (DE) (US only).
SCHICKETANZ, Thomas [DE/DE]; (DE) (US only).
DIER, Oliver [DE/DE]; (DE) (US only).
WEBER, Jörn [DE/DE]; (DE) (US only).
GRASSE, Christian [DE/DE]; (DE) (US only).
WINTER, Ralf [DE/DE]; (DE) (US only).
STROBEL, Sebastian [DE/DE]; (DE) (US only)
Erfinder: ENKISCH, Hartmut; (DE).
PAUL, Hans-Jochen; (DE).
SCHICKETANZ, Thomas; (DE).
DIER, Oliver; (DE).
WEBER, Jörn; (DE).
GRASSE, Christian; (DE).
WINTER, Ralf; (DE).
STROBEL, Sebastian; (DE)
Vertreter: FRANK, Hartmut; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 223 895.9 22.11.2013 DE
Titel (DE) REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT, SOWIE OPTISCHES SYSTEM EINER MIKROLITHOGRAPHISCHEN PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
(EN) REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL SYSTEM OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
(FR) ÉLÉMENT OPTIQUE RÉFLÉCHISSANT AINSI QUE SYSTÈME OPTIQUE PRÉSENTANT UNE INSTALLATION MICROLITHOGRAPHIQUE D'ÉCLAIRAGE PAR PROJECTION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Ein reflektives optisches Element weist ein Substrat (52) und ein auf diesem Substrat angeordnetes Viellagensystem (51) auf, wobei das Viellagensystem (51) eine Mehrzahl von Teilstapeln aus jeweils einer ersten Lage (54) eines ersten Materials und wenigstens einer zweiten Lage (55) eines zweiten Materials aufweist, wobei sich das erste Material und das zweite Material im Wert des Realteils des Brechungsindex bei einer Arbeitswellenlänge des reflektiven optischen Elements (50) voneinander unterscheiden, wobei jeder dieser Teilstapel (53) eine Teilstapeldicke (Di) und ein Lagendickenverhältnis (Γi) aufweist, wobei das Lagendickenverhältnis (Γi) als Quotient der Dicke der jeweiligen ersten Lage (54) und der Teilstapeldicke (Di) definiert ist, wobei in einem ersten Abschnitt des Viellagensystems (51) für wenigstens eine der beiden Größen Teilstapeldicke (Di) und Lagendickenverhältnis (Γi) die mittlere quadratische Abweichung vom jeweiligen Mittelwert um wenigstens 10% kleiner ist als in einem zweiten Abschnitt des Viellagensystems (51); und wobei das reflektive optische Element (50) eine Reflektivität (R) aufweist, deren Wellenlängenabhängigkeit in einem Wellenlängenintervall von Δλ = 0.5nm einen PV-Wert kleiner als 0.25 besitzt, wobei der PV-Wert definiert ist als PV = (Rmax_rel - Rmin_rel)/Rmax_abs, wobei Rmax_rel den maximalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ, Rmin_rel den minimalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ und Rmax_abs den absolut maximalen Reflektivitätswert bezeichnen.
(EN)The invention relates to a reflective optical element, and to an optical system of a microlithographic projection exposure system. A reflective optical element comprises a substrate (52) and a multi-layer system (51) arranged on said substrate, wherein the multi-layer system (51) has a plurality of partial stacks each comprising a first layer (54) of a first material and at least one second layer (55) of a second material, wherein the first material and the second material differ from each other in the value of the real part of the index of refraction at a working wavelength of the reflective optical element (50), wherein each of said partial stacks (53) has a partial stack thickness (Di) and a layer thickness ratio (Γi), wherein the layer thickness ratio (Γi) is defined as the quotient of the thickness of the particular first layer (54) and the partial stack thickness (Di), wherein for at least one of the two values of partial stack thickness (Di) and layer thickness ratio (Γi), the mean squared deviation from the particular mean is at least 10% less in a first section of the multi-layer system (51) than in a second section of the multi-layer system (51); and wherein the reflective optical element (50) has a reflectivity (R), the wavelength dependence of which in a wavelength interval of Δλ = 0.5 nm has a PV value less than 0.25, wherein the PV value is defined as PV = (Rmax_rel - Rmin_rel)/Rmax_abs, wherein Rmax_rel indicates the maximum reflectivity value in said wavelength interval Δλ, Rmin_rel indicates the minimum reflectivity value in said wavelength interval Δλ, and Rmax_abs indicates the absolute maximum reflectivity value.
(FR)La présente invention concerne un élément optique réfléchissant ainsi qu'un système optique présentant une installation microlithographique d'éclairage par projection. Un élément optique réfléchissant présente un substrat (52) et un système multicouche (51) disposé sur ce substrat, le système multicouche (51) présentant une pluralité de piles partielles constituées à chaque fois d'une première couche (54) d'un premier matériau et d'au moins une deuxième couche (55) d'un deuxième matériau, le premier matériau et le deuxième matériau se distinguant par la valeur de la partie réelle de l'indice de réfraction à une longueur d'onde de travail de l'élément optique réfléchissant (50), chacune de ces piles partielles (53) présentant une épaisseur de pile partielle (Di) et un rapport d'épaisseurs des couches (Γi), le rapport d'épaisseurs des couches (Γi) étant défini comme quotient de l'épaisseur d'à chaque fois la première couche (54) et de l'épaisseur de la couche partielle (Di). Dans une première section du système multicouche (51), pour au moins une des deux grandeurs, épaisseur de pile partielle (Di) et rapport d'épaisseurs des couches (Γi), l'écart quadratique moyen de la valeur moyenne en question est inférieur d'au moins 10% à celui dans une deuxième section du système multicouche (51). L'élément optique réfléchissant (50) présente une réflectivité (R) dont la dépendance de la longueur d'onde dans un intervalle de longueur d'onde de Δλ = 0,5 nm présente une valeur PV inférieure à 0,25, la valeur PV étant définie par PV = (Rmax_rel - Rmin_rel)/Rmax_abs, Rmax_rel désignant la valeur de réflectivité maximale dans cet intervalle de longueur d'onde Δλ, Rmin_rel désignant la valeur de réflectivité minimale dans cet intervalle de longueur d'onde Δλ et Rmax_abs désignant la valeur de réflectivité maximale absolue.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)