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1. (WO2015074989) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDKÖRPERS MIT ZUMINDEST EINER FUNKTIONELLEN SCHICHT ODER ZUR WEITEREN HERSTELLUNG ELEKTRONISCHER ODER OPTO-ELEKTRONISCHER BAUELEMENTE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/074989    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/074739
Veröffentlichungsdatum: 28.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 17.11.2014
IPC:
C23C 14/02 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01)
Anmelder: AIXATECH GMBH [DE/DE]; Thomas-Edison-Strasse 5-7 52499 Baesweiler (DE)
Erfinder: DIKME, Yilmaz; (DE)
Vertreter: MICHALSKI HÜTTERMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Speditionstraße 21 40221 Düsseldorf (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 112 785.1 19.11.2013 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDKÖRPERS MIT ZUMINDEST EINER FUNKTIONELLEN SCHICHT ODER ZUR WEITEREN HERSTELLUNG ELEKTRONISCHER ODER OPTO-ELEKTRONISCHER BAUELEMENTE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A COMPOSITE BODY HAVING AT LEAST ONE FUNCTIONAL LAYER, OR FOR FURTHER PRODUCTION OF ELECTRONIC OR OPTO-ELECTRONIC COMPONENTS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CORPS COMPOSITE COMPORTANT AU MOINS UNE COUCHE FONCTIONNELLE OU DE PRODUCTION ULTÉRIEURE D'UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE OU OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers (36) mit zumindest einer funktionellen Schicht oder zur weiteren Verwendung zur Herstellung eines elektronischen oder opto-elektronischen Bauelements (40, 42, 44). Der Verbundkörper (36) ist als Schichtstruktur ausgebildet und beinhaltet zumindest ein als Platte ausgebildetes Substrat (34) mit zumindest einer ebenen Substratoberfläche und zumindest eine im Wesentlichen polykristalline oder zumindest eine im Wesentlichen einkristalline Schicht (38), die zumindest einen Verbindungshalbleiter, einen keramischen Werkstoff oder einen metallischen Hartstoff umfasst. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch folgende Schritte: Erwärmung zumindest eines Teils der ebenen Substratoberfläche auf eine Temperatur von mindestens 100°C und höchstens 550°C; - Reinigen der Substratoberfläche durch Zuführen von Wasserstoff aus einer ersten Materialquelle (20) und einem eigens dafür hergestellten Plasma; Terminieren der Substratoberfläche durch Aufbringen von Kohlenstoff, Stickstoff oder Sauerstoff aus der ersten Materialquelle (20) oder einer zweiten Materialquelle (22) und einem eigens dafür hergestellten Plasma; und - Aufwachsen der zumindest einen Schicht (38) durch Zuführen von Materialkomponenten des Verbindungshalbleiters, des keramischen Werkstoffs oder des metallischen Hartstoffs aus der ersten Materialquelle (20) und der zweiten Materialquelle (22) zu der zumindest einen ebenen Substratoberfläche. Die Erfindung betrifft ferner eine Verwendung des nach einer der offenbarten Ausführungsformen des Verfahrens oder einer Kombination davon hergestellten Verbundkörpers (36) zur Herstellung eines elektronischen oder opto-elektronischen Bauelements.
(EN)The invention relates to a method for producing a composite body (36) having at least one functional layer, or for further application for producing an electronic or opto-electronic components (40, 42, 44). The composite body (36) is configured as a layer structure and comprises at least one substrate (34) formed as a plate having at least one planar substrate surface, and at least one substantially polycrystalline, or at least one substantially single-crystal layer (38), which comprises at least one compound semiconductor, a ceramic material, or a metallic hard material. The method is characterized by the following steps: heating at least a part of the planar substrate surface to a temperature of at least 100°C or maximum 550°C; cleaning the substrate surface by supplying hydrogen from a first material source (20) and a plasma produced specifically therefor; terminating the substrate surface by applying carbon, nitrogen, or oxygen from the first material source (20), or from a second material source (22), and a plasma specially produced therefor; and growing the at least one layer (38) by supplying material components of the compound semiconductor, the ceramic material, or the metallic hard material from the first material source (20) and the second material source (22) to the at least one planar substrate surface. The invention further relates to a use of the composite body (36) produced according to one of the embodiments of the method according to the invention, or a combination thereof, for producing an electronic or opto-electronic component.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un corps composite (36) comportant au moins une couche fonctionnelle ou d'utilisation ultérieure en vue de la production d'un composant électronique ou optoélectronique (40, 42, 44). Le corps composite (36) est conçu sous la forme d'une structure en couches et comprend au moins un substrat (34) conçu sous la forme de plaque et possédant au moins une couche plane et au moins une couche sensiblement polycristalline ou au moins une couche sensiblement monocristalline (38) qui comporte au moins un semi-conducteur de liaison, une matière céramique ou une matière dure métallique. Le procédé est caractérisé par les étapes consistant à : chauffer au moins une partie de la surface plane du substrat à une température d'au moins 100°C et d'au plus 550°C ; - nettoyer la surface du substrat par apport d'hydrogène provenant d'une première source de matière (20) et d'un plasma spécialement préparé ; finir la surface du substrat par application de carbone, d'azote ou d'oxygène provenant de la première source de matière (20) ou d'une seconde source de matière (22) et d'un plasma spécialement préparé ; et - épitaxier au moins une couche (38) par apport de composants du semi-conducteur de liaison, de la matière céramique ou la matière dur métallique provenant de la première source de matière (20) et de la seconde source de matière (22) pour obtenir l'au moins surface plane du substrat. L'invention concerne en outre l'utilisation du corps composite (36) produit selon l'un des modes de réalisation décrits du procédé, ou une combinaison de ceux-ci pour la fabrication d'un composant électronique ou optoélectronique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)