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1. (WO2015074900) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/074900    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/074071
Veröffentlichungsdatum: 28.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 07.11.2014
IPC:
H01L 27/15 (2006.01), H01L 25/16 (2006.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: LEIRER, Christian; (DE).
HAHN, Berthold; (DE).
ENGL, Karl; (DE).
BAUR, Johannes; (DE).
HERRMANN, Siegfried; (DE).
PLÖSSL, Andreas; (DE).
KATZ, Simeon; (DE).
MEYER, Tobias; (DE).
ZINI, Lorenzo; (DE).
MAUTE, Markus; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss NR. 175 Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 112 881.5 21.11.2013 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP WITH BUILT-IN ESD PROTECTION
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE À PROTECTION INTÉGRÉE CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem integrierten Überbrückungselement (9, 9A) angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.
(EN)Described is an optoelectronic semiconductor chip (1) with a built-in bridging element (9, 9A) for overvoltage protection.
(FR)L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectrique (1) pourvue d'un élément de pontage (9, 9A) intégré, lequel sert à protéger contre des surtensions.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)