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1. (WO2015074824) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/074824    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/072775
Veröffentlichungsdatum: 28.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 23.10.2014
IPC:
H01L 31/0203 (2014.01), H01L 31/0232 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
PINDL, Markus; (DE).
JEREBIC, Simon; (DE).
SINGER, Frank; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 112 886.6 21.11.2013 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICES AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE DES COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Befestigen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (4) auf dem Hilfsträger (2), wobei die Halbleiterchips (4) in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind; c) Ausbilden einer reflektierenden Schicht (6) zumindest in Bereichen (22) zwischen den Halbleiterchips (4); d) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips (4) angeordnet ist; e) Entfernen des Hilfsträgers (2); und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (8) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes optoelektronische Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (4), einen Teil der reflektierenden Schicht (6) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (8) als Gehäusekörper (82) aufweist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben.
(EN)A method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor devices (100) is provided, comprising the following steps: a) providing an auxiliary support (2); b) fastening a plurality of semiconductor chips (4) on the auxiliary support (2), wherein the semiconductor chips (4) are spaced apart from one another in a lateral direction; c) forming a reflective layer (6), at least in regions (22) between the semiconductor chips (4); d) forming a composite package body (8), which is arranged at least in certain regions between the semiconductor chips (4); e) removing the auxiliary support (2); and f) separating the composite housing body (8) into a plurality of optoelectronic semiconductor devices (100), wherein each optoelectronic semiconductor device (100) has at least one semiconductor chip (4), part of the reflective layer (6) and part of the composite package body (8) as a package body (82). An optoelectronic semiconductor device (100) is also provided.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire une pluralité de composants optoélectroniques à semi-conducteur (100). Ledit procédé comprend les étapes suivantes consistant à : a) fournir un support auxiliaire (2) ; b) fixer une pluralité de puces semi-conductrices (4) sur le support auxiliaire (2), les puces semi-conductrices (4) étant espacées les unes des autres dans une direction latérale ; c) former une couche réfléchissante (6) au moins dans des zones (22) comprises entre les puces semi-conductrices (4) ; d) former un ensemble corps de boîtier (8), lequel est disposé au moins par endroits entre les puces semi-conductrices (4) ; e) retirer le support auxiliaire (2) ; et f) séparer l'ensemble corps de boîtier (8) en une pluralité de composants optoélectroniques à semi-conducteur (100), chaque composant optoélectronique à semi-conducteur (100) comprenant au moins une puce semi-conductrice (4), une partie de la couche réfléchissante (6) et une partie de l'ensemble corps de boîtier (8) comme corps de boîtier (82). L'invention concerne en outre un composant optoélectronique à semi-conducteur (100).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)