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1. (WO2015071217) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG RÜCKSEITENKONTAKTIERTER SOLARZELLEN AUS KRISTALLINEM SILIZIUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/071217    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/074163
Veröffentlichungsdatum: 21.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 10.11.2014
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), B23K 26/40 (2014.01)
Anmelder: UNIVERSITAET STUTTGART [DE/DE]; Keplerstraße 7 70174 Stuttgart (DE)
Erfinder: DAHLINGER, Morris; (DE).
ROEDER, Tobias; (DE).
EISELE, Sebastian; (DE).
KOEHLER, Juergen; (DE).
ZAPF-GOTTWICK, Renate; (DE).
WERNER, Juergen H.; (DE)
Vertreter: WITTE, WELLER & PARTNERPATENTANWÄLTE MBB / ZUSAMMENSCHLUSS EPA NR. 314; Postfach 10 54 62 70047 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 112 638.3 15.11.2013 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG RÜCKSEITENKONTAKTIERTER SOLARZELLEN AUS KRISTALLINEM SILIZIUM
(EN) METHOD FOR PRODUCING REAR SURFACE CONTACT SOLAR CELLS FROM CRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES AU SILICIUM CRISTALLIN À CONTACTS ARRIÈRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium angegeben, mit mindestens einem Laserdotierschritt zur Erzeugung eines n-Typ- oder p-Typ-dotierten Bereiches (20, 22), und mit mindestens einem Laserablationsschritt zur Freilegung von Kontaktflächen (26) an der Rückseite der Solarzelle (10), die mittels Siebdruck kontaktiert werden.
(EN)Described is a method for producing rear surface contact solar cells from crystalline silicon, comprising at least one laser doping step for creating an n-doped or p-doped region (20, 22), and comprising a laser ablation step for exposing contact surfaces (26) on the rear surface of the solar cell (10), which are contacted by a screen printing process.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires au silicium cristallin à contacts arrière, comprenant au moins une étape de dopage par laser destinée à générer une zone dopée (20, 22) de type n ou de type p, et au moins une étape d'ablation par laser destinée à exposer des zones de contact (26) à l'arrière de la cellule solaire (10) qui sont mises en contact par sérigraphie.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)