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1. (WO2015071109) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/071109    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/073369
Veröffentlichungsdatum: 21.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 30.10.2014
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: PINDL, Markus; (DE).
SCHWARZ, Thomas; (DE).
SINGER, Frank; (DE).
SOBCZYK, Sandra; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 112 549.2 14.11.2013 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind; b) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (30), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips angeordnet ist; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Kehlen (4), die jeweils an einen Halbleiterchip angrenzen und die in lateraler Richtung durch eine Seitenfläche (20) des jeweiligen Halbleiterchips und den Gehäusekörperverbund begrenzt sind; und d) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, wobei jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper (3) aufweist und wobei die Halbleiterchips jeweils an einer einer Montagefläche (15) gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsfläche (10) der Halbleiterbauelemente frei von Material des Gehäusekörpers sind. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
(EN)The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components (1), comprising the following steps: preparing a plurality of semiconductor chips (2) spaced in a lateral direction to one another; forming a housing body assembly (30), at least one region of which is arranged between the semiconductor chips; forming a plurality of fillets (4), each adjoining a semiconductor chip and being bordered in a lateral direction by a side surface (20) of each semiconductor chip and the housing body assembly; and separating the housing body assembly into a plurality of optoelectronic components, each component having at least one semiconductor chip and a portion of the housing body assembly as a housing body (3), and each semiconductor chip not being covered by material of the housing body on a radiation emission surface (10) of the semiconductor component, which surface is located opposite a mounting surface (15). The invention also relates to a semiconductor component.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de composants semi-conducteurs optoélectroniques (1), comprenant les étapes consistant à : a) préparer une pluralité de puces de semi-conducteur (2) disposées à distance les unes des autres dans une direction latérale; b) former un composite d'encapsulation (30) disposé au moins par endroits entre les puces de semi-conducteur; c) former une pluralité de gorges (4) adjacentes chacune à une puce de semi-conducteur et limitées dans la direction latérale par une face latérale (20) de la puce de semi-conducteur concernée et par le composite d'encapsulation; et d) séparer le composite d'encapsulation en une pluralité de composants semi-conducteurs optoélectroniques. Chaque composant semi-conducteur comprend au moins une puce de semi-conducteur et une partie du composite d'encapsulation comme encapsulation (3). Sur une face de sortie de rayonnement (10) des composants semi-conducteurs située à l'opposé d'une face de montage (15), les puces de semi-conducteur sont toujours dépourvues de matériau d'encapsulation. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)