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1. (WO2015062990) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND ANORDNUNG MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/062990    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/072888
Veröffentlichungsdatum: 07.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 24.10.2014
IPC:
H01L 33/58 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H05K 1/18 (2006.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: HERRMANN, Siegfried; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 111 977.8 30.10.2013 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND ANORDNUNG MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND ASSEMBLY HAVING AT LEAST ONE SUCH OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET ENSEMBLE COMPRENANT AU MOINS UNE TELLE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet die Anordnung (2) einen Halbleiterchip (1) sowie zumindest eine Montageplattform (3). Elektrische Anschlussflächen (31) an einer Plattformanschlussseite (30) sind elektrisch und mechanisch mit den elektrischen Kontakten (15) an einer Trägerhauptseite (12) eines Trägers (11) des Halbleiterchips (1) verbunden. Der Halbleiterchip (1) ist derart an der Montageplattform (3) angeordnet, so dass sich eine Halbleiterschichtenfolge (13) des Halbleiterchips (1) in einem Fenster (32) der Montageplattform (3) befindet. Der Träger (11) des Halbleiterchips (1) überragt das Fenster (32) seitlich, in Draufsicht auf eine Strahlungshauptseite (18) gesehen. Eine Dicke (T) der Montageplattform (3) ist größer als eine Dicke (H) der Halbleiterschichtenfolge (13).
(EN)The invention relates to an assembly (2), at least one embodiment of which contains a semiconductor chip (1) and at least one mounting platform (3). Electrical connection surfaces (31) on a platform connection side (30) are connected electrically and mechanically to the electrical contacts (15) on a carrier main side (12) of a carrier (11) of the semiconductor chip (1). The semiconductor chip (1) is arranged on the mounting platform (3) in such a way that a semiconductor layer sequence (13) of the semiconductor chip (1) is located in a window (32) of the mounting platform (3). The carrier (11) of the semiconductor chip (1) protrudes beyond the window (32) laterally, in a top view of a radiation main side (18). A thickness (T) of the mounting platform (3) is greater than a thickness (H) of the semiconductor layer sequence (13).
(FR)Dans au moins une forme de réalisation, cet ensemble (2) comprend une puce semi-conductrice (1) ainsi qu'au moins une plate-forme de montage (3). Des surfaces de contact électrique (31) formées sur une face de connexion (30) de la plate-forme sont reliées électriquement et mécaniquement à des contacts électriques (15) situés sur une face principale (12) d'un substrat (11) de la puce semi-conductrice (1). La puce semi-conductrice (1) est disposée sur la plate-forme de montage (3) de telle manière qu'un empilement de couches de semi-conducteur (13) de ladite puce semi-conductrice (1) est placé dans une fenêtre (32) de la plate-forme de montage (3). Dans une vue en plan de la face d'émission principale (18), le substrat (11) de la puce semi-conductrice (1) déborde latéralement de la fenêtre (32). L'épaisseur (T) de la plate-forme de montage (3) est supérieure à l'épaisseur (H) de l'empilement de couches de semi-conducteur (13).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)