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1. (WO2015062817) HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE EIN VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES IN EINEM EINE KRISTALLOGRAPHISCHE (100)-ORIENTIERUNG AUFWEISENDEN SUBSTRAT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/062817    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/071333
Veröffentlichungsdatum: 07.05.2015 Internationales Anmeldedatum: 06.10.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: HERNANDEZ GUILLEN, Francisco; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 222 160.6 31.10.2013 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE EIN VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES IN EINEM EINE KRISTALLOGRAPHISCHE (100)-ORIENTIERUNG AUFWEISENDEN SUBSTRAT
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT IN A SUBSTRATE HAVING A CRYSTALLOGRAPHIC (100) ORIENTATION
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR DANS UN SUBSTRAT AYANT UNE ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Halbleiterbauelement (100) zur Verfügung gestellt, welches ein Substrat (90) sowie ein Galliumnitrid aufweisendes erstes Funktionselement (80) umfasst, welches innerhalb der Oberfläche (91) des Substrates (90) realisiert ist. Erfindungsgemäß weist das Substrat (90) eine kristallographische (100)-Orientierung auf. Ferner wird ein Verfahren zur Erzeugung eines Halbleiterbauelementes (100) in einem eine kristallographische (100)-Orientierung aufweisenden Substrat (90) bereitgestellt.
(EN)The invention relates to a semiconductor component (100), comprising a substrate (90) and a gallium nitride-containing first functional element (80) which is implemented in the surface (91) of the substrate (90). The substrate (90) has a crystallographic (100) orientation. The invention further relates to a method for producing a semiconductor element (100) in a substrate (90) having a crystallographic (100) orientation.
(FR)L'invention concerne un composant à semi-conducteur (100) qui comprend un substrat (90) et un premier élément fonctionnel (80), contenant du nitrure de gallium, qui est réalisé à l'intérieur de la surface (91) du substrat (90). Selon l'invention, le substrat (90) a une orientation cristallographique (100). En outre, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur (100) dans un substrat (90) ayant une orientation cristallographique (100).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)