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1. (WO2015045164) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2015/045164 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2013/076572
Veröffentlichungsdatum: 02.04.2015 Internationales Anmeldedatum: 30.09.2013
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
455
gekennzeichnet durch das Verfahren zum Einführen von Gasen in den Reaktionsraum oder zum Modifizieren von Gasströmungen im Reaktionsraum
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
50
unter Anwendung elektrischer Entladungen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H
Plasmatechnik; Erzeugung von beschleunigten elektrisch geladenen Teilchen oder von Neutronen; Erzeugung oder Beschleunigung von neutralen Molekular- oder Atomstrahlen
1
Erzeugen von Plasma; Handhaben von Plasma
24
Erzeugen von Plasma
46
unter Verwendung angelegter elektromagnetischer Felder, z.B. Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie
Anmelder:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
Erfinder:
廣地 志有 HIROCHI, Yukitomo; JP
豊田 一行 TOYODA, Kazuyuki; JP
盛満 和広 MORIMITSU, Kazuhiro; JP
佐藤 武敏 SATO, Taketoshi; JP
山本 哲夫 YAMAMOTO, Tetsuo; JP
Prioritätsdaten:
Titel (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention is a substrate processing device which alternately supplies a first processing gas and a plasmatized second processing gas to a processing container so as to process a substrate, and is provided with: a first gas supply system which supplies a first processing gas; a second gas supply system which supplies a second processing gas; a plasma unit which is placed upstream of a processing container, and which plasmatizes at least the second processing gas; and a control unit which controls the first gas supply system and the second gas supply system so that the first processing gas and the second processing gas are supplied alternately, and which controls the plasma unit so as to perform application of power necessary for plasmatization of the second processing gas from prior to starting of the supply of the second processing gas.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de traitement de substrat qui fournit de manière alternée un premier gaz de traitement et un second gaz de traitement transformé en plasma à un conteneur de traitement afin de traiter un substrat, et comporte : un premier système de fourniture de gaz qui fournit un premier gaz de traitement ; un second système de fourniture de gaz qui fournit un second gaz de traitement ; une unité de plasma qui est placée en amont d’un conteneur de traitement, et qui transforme en plasma au moins le second gaz de traitement ; et une unité de commande qui commande le premier système de fourniture de gaz et le second système de fourniture de gaz de telle sorte que le premier gaz de traitement et le second gaz de traitement sont fournis de manière alternée, et qui commande l’unité de plasma afin de réaliser une application de puissance nécessaire pour transformer en plasma le second gaz de traitement avant le début de la fourniture du second gaz de traitement.
(JA) 第1の処理ガスと、プラズマ化された第2の処理ガスとを交互に処理容器に供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記第1の処理ガスを供給する第1のガス供給系と、前記第2の処理ガスを供給する第2のガス供給系と、前記処理容器の上流に配置され、少なくとも前記第2の処理ガスをプラズマ化するプラズマユニットと、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとが交互に供給されるように前記第1のガス供給系と前記第2のガス供給系を制御すると共に、前記第2の処理ガスの供給が開始される前から前記第2の処理ガスのプラズマ化に必要な電力印加を実行するように前記プラズマユニットを制御する制御部と、を備える。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)