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1. (WO2015039841) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/039841    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/068119
Veröffentlichungsdatum: 26.03.2015 Internationales Anmeldedatum: 27.08.2014
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    19.06.2015    
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
Anmelder: WACKER CHEMIE AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Erfinder: MÜLLER, Barbara; (DE).
HÄCKL, Walter; (DE).
STOIBER, Wolfgang; (DE)
Vertreter: KILLINGER, Andreas; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 219 070.0 23.09.2013 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
(EN) PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor enthaltend eine Bodenplatte, ein auf der Bodenplatte befestigtes Reaktoroberteil und wenigstens einen durch direkten Stromdurchgang erhitzten Trägerkörper, auf dem polykristallines Silicium abgeschieden wird, so dass wenigstens ein polykristalliner Siliciumstab erhalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach Beendigung der Abscheidung während des Ausbaus des wenigstens einen polykristallinen Siliciumstabs aus dem Reaktor eine Schutzhülle oder eine Schutzwand seitlich um den Reaktor herum angebracht ist.
(EN)The invention relates to a process for producing polycrystalline silicon, comprising introducing a reaction gas comprising a silicon-containing component and hydrogen into a reactor comprising a base plate, an upper reactor section secured to the base plate and at least one support body heated by direct passage of current, on which polycrystalline silicon is deposited, such that at least one polycrystalline silicon rod is obtained, wherein, after the deposition has ended, a protective shell or a protective wall is placed laterally around the reactor during the deinstallation of the at least one polycrystalline silicon rod.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la préparation de silicium polycristallin, comprenant l'introduction d'un gaz de réaction contenant un composant, contenant du silicium, et de l'hydrogène dans un réacteur contenant une plaque de fond, une partie supérieure de réacteur fixée sur la plaque de fond et au moins un corps support chauffé par un passage direct d'un flux, sur lequel le silicium polycristallin est déposé de telle sorte qu'on obtient au moins une barre de silicium polycristallin. Selon l'invention, après la fin du dépôt, pendant l'évacuation de ladite au moins une barre de silicium polycristallin du réacteur, une enveloppe de protection ou une paroi de protection est disposée latéralement autour du réacteur.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)