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1. (WO2015036231) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/036231    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/068000
Veröffentlichungsdatum: 19.03.2015 Internationales Anmeldedatum: 25.08.2014
IPC:
H01L 33/62 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
STOLL, Ion; (DE).
SCHWARZ, Thomas; (DE).
SINGER, Frank; (DE).
DIRSCHERL, Georg; (DE).
HÖPPEL, Lutz; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 110 114.3 13.09.2013 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), - einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und - Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei - die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und - die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.
(EN)An optoelectronic semiconductor component is specified, having – an optoelectronic semiconductor chip (1) comprising a transparent carrier (10), a semiconductor layer sequence (11) on the transparent carrier (10) and electrical connection points (12) on the underside, which is averted from the transparent carrier (10), of the semiconductor layer sequence (11), – a transparent enveloping material (3) that encloses the optoelectronic semiconductor chip (1) in places, and – particles (41) of a light-scattering and/or light-reflecting material, wherein – the underside of the semiconductor layer sequence (11) is free of the transparent enveloping material (3), and – the particles (41) cover the underside of the semiconductor layer sequence (11) and an outer face of the enveloping material (3) in places.
(FR)L'invention concerne un composant à semi-conducteur optoélectronique, comprenant : ‑ une puce de semi-conducteur optoélectronique (1) comprenant un substrat transparent (10), une succession de couches semi-conductrices (11) déposées sur le substrat transparent (10) et des points de connexion électrique (12) sur la face inférieure de la succession de couches semi-conductrices (11) à l'opposé du substrat transparent (10), ‑ un matériau d'enrobage transparent (3) qui entoure par endroits la puce de semi-conducteur optoélectronique (1), et - des particules (41) d'un matériau qui disperse et/ou réfléchit la lumière. Dans ce composant : ‑ la face inférieure de la succession de couches semi-conductrices (11) est dépourvue de matériau d'enrobage transparent (3), et ‑ les particules (41) recouvrent par endroits la face inférieure de la succession de couches semi-conductrices (11) et une surface extérieure du matériau d'enrobage (3).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)