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1. (WO2015028512) OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/028512    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/068177
Veröffentlichungsdatum: 05.03.2015 Internationales Anmeldedatum: 27.08.2014
IPC:
H01L 25/075 (2006.01), F21K 99/00 (2010.01), F21S 8/10 (2006.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: EICHENBERG, Boris; (DE).
ZITZLSPERGER, Michael; (DE).
ZIEREIS, Christian; (DE)
Vertreter: PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 217 410.1 02.09.2013 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) OPTOELECTRONIC MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) MODULE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Modul umfassend: -ein Trägersubstrat (110), -wenigstens einen auf dem Trägersubstrat (110) angeordneten Halbleiterchip (121-125) zur Emission einer Lichtstrahlung, -eineoberhalb des Halbleiterchips (121-125) angeordnete Konversionsschicht (130) zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip (121-125) emittierten Lichtstrahlung, wobei die Konversionsschicht (130) ein dem Halbleiterchip abgewandte obere Leuchtfläche aufweist, -ein auf dem Trägersubstrat (110) angeordnetes und einen Aufnahmeraum (154) für den Halbleiterchip (121-125) und die Konversionsschicht (130) bildendes Rahmenelement (150), und -ein auf dem Rahmenelement (150) angeordnetes und den Aufnahmeraum (154) begrenzendes Blendenelement (160) mit wenigstens einer Blendenöffnung (161-165), die eine Bereich der oberen Leuchtfläche der Konversionsschicht (130) freigibt, wobei ein Randbereich (136) der oberen Leuchtfläche der Konversionsschicht (30) von einem an der Blendenöffnung (161-65) angrenzenden nicht transparenten Randbereich (171) des Blendenelements (160) wenigstens teilweise überlappt wird,. so dass ein Blendenrand (166), der von wenigstens einem Teil des Umfangs der Blendenöffnung (161 -165) definiert ist, eine Hell-Dunkel-Grenze für die von der Leuchtfläche der Konversionsschicht (130) emittierte Lichtstrahlung ausbildet.
(EN)The invention relates to an optoelectronic module, comprising: a carrier substrate (110), at least one semiconductor chip (121-125) arranged on the carrier substrate (110) for emitting light radiation, a conversion layer (130) arranged above the semiconductor chip (121-125) for converting at least a part of the light radiation emitted by the semiconductor chip (121-125), wherein the conversion layer (130) has an upper lighting surface facing away from the semiconductor chip, a frame element (150), which is arranged on the carrier substrate (110) and which forms an accommodating space (154) for the semiconductor chip (121-125) and the conversion layer (130), and a cover element (160), which is arranged on the frame element (150) and bounds the accommodating space (154) and has at one cover opening (161-165), which exposes a region of the upper lighting surface of the conversion layer (130), wherein an edge region (136) of the upper lighting surface of the conversion layer (30) is at least partially overlapped by a non-transparent edge region (171) of the cover element (160) adjacent to the cover opening (161-165), such that a cover edge (166), which is defined by at least a part of the periphery of the cover opening (161-165), forms a light-dark boundary for the light radiation emitted from the lighting surface of the conversion layer (130).
(FR)L'invention concerne un module optoélectronique comprenant : un substrat de support (110), au moins une puce à semi-conducteur (121 à 125) disposée sur le substrat de support (110) et servant à émettre un rayonnement lumineux, une couche de conversion (130) disposée au-dessus de la puce à semi-conducteur (121 à 125) et servant à convertir au moins une partie du rayonnement lumineux émis par la puce à semi-conductrice (121 à 125). La couche de conversion (130) possède une surface lumineuse supérieure opposée à la puce à semi-conducteur, un élément de cadre (150) disposé sur le substrat de support (110) et formant un espace de réception (154) destiné à la puce à semi-conducteur (121 à 125) et à la couche de conversion (130), et un élément de diaphragme (160) disposé sur l'élément de cadre (150), délimitant l'espace de réception (154) et comportant au moins une ouverture de diaphragme (161 à 165) qui libère une zone de la surface lumineuse supérieure de la couche de conversion (130). Une zone en bordure (171), non transparente, de l'élément de diaphragme, qui est adjacente à l'ouverture de diaphragme (161 à 165), chevauche au moins partiellement une zone en bordure (136) de la surface lumineuse supérieure de la couche de conversion (30) de sorte qu'un bord de diaphragme (166), qui est défini par au moins une partie de la périphérie de l'ouverture de diaphragme (161 à 165), forme une limite clair-obscur pour le rayonnement lumineux émis par la surface lumineuse de la couche de conversion (130).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)