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1. (WO2015028403) LICHTSTREUENDER KOLBEN FÜR EINE HALBLEITER-RETROFITLAMPE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2015/028403    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/067907
Veröffentlichungsdatum: 05.03.2015 Internationales Anmeldedatum: 22.08.2014
IPC:
C03C 17/04 (2006.01), C03C 17/25 (2006.01), F21K 99/00 (2010.01)
Anmelder: OSRAM GMBH [DE/DE]; Marcel-Breuer-Straße 6 80807 München (DE)
Erfinder: KONRAD, Armin; (DE).
SCHÖNHEITS, Markus; (DE).
WILLE, Christina; (DE).
SCHACHERER, Friedbert; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 217 074.2 27.08.2013 DE
Titel (DE) LICHTSTREUENDER KOLBEN FÜR EINE HALBLEITER-RETROFITLAMPE
(EN) LIGHT-SCATTERING BULB FOR A SEMICONDUCTOR RETROFIT LAMP
(FR) AMPOULE DIFFUSANT LA LUMIÈRE POUR LAMPE DE REMPLACEMENT À SEMICONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Der lichtstreuende Kolben (1) ist für eine Halbleiter-Retrofitlampe (R1) vorgesehen, wobei der Kolben (1) eine hohlzylindrische Grundform aufweist, wobei der Kolben (1) einen Grundkörper (2) aus Glas aufweist, der Grundkörper (2) mit einer lichtstreuenden Schicht (4) beschichtet ist und die lichtstreuende Schicht (4) in einem lichtdurchlässigen Basismaterial verteilte Streupartikel (P1, P2) aufweist, das Basismaterial ein anorganisches bleifreies Basismaterial (G) ist und die Streupartikel (P1, P2) anorganische Streupartikel sind. Ein Verfahren dient zum Herstellen eines Kolbens (1), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Beschlämmen des Grundkörpers (2) aus Glas mit einem Beschichtungsmittel, welches ein Ausgangsmaterial zur Herstellung der lichtstreuenden Schicht (4) des Kolbens (1) ist; und abschnittsweises Trocknen des Beschichtungsmittels sowie das Einbrennen der Schicht zur Umwandlung in die lichtstreuenden Schicht (4), wobei das Trocken zeitlich versetzt in Fließrichtung des Beschichtungsmittels durchgeführt wird. Die Erfindung ist insbesondere anwendbar auf Halbleiter-Retrofitlampen für Gasentladungsröhren und Linienlampen.
(EN)The light-scattering bulb (1) is provided for a semiconductor retrofit lamp (R1), said bulb (1) having a basic hollow cylindrical shape. The bulb (1) has a main part (2) made of glass, and the main part (2) is coated with a light-scattering layer (4). The light-scattering layer (4) has scattering particles (P1, P2) distributed in a translucent base material. The base material is an inorganic lead-free base material (G), and the scattering particles (P1, P2) are inorganic scattering particles. A method is used to produce a bulb (1), said method having at least the following steps: coating the main part (2) made of glass with a coating agent, which is a starting material for producing the light-scattering layer (4) of the bulb (1); and drying some sections of the coating agent and baking the layer so as to convert same into the light-scattering layer (4), said drying process being carried out in a staggered manner in the flow direction of the coating agent. The invention can be used in particular for semiconductor retrofit lamps for gas discharge tubes and linear lamps.
(FR)Ampoule (1) diffusant la lumière pour une lampe de remplacement à semiconducteur (R1), qui présente une forme de base cylindrique creuse. L'ampoule (1) comporte un corps de base (2) en verre. Le corps de base (2) est revêtu d'une couche (4) diffusant la lumière, et cette couche (4) contient des particules de diffusion (P1, P2) réparties dans un matériau de base transparent. Le matériau de base est un matériau de base inorganique sans plomb (G) et les particules de diffusion (P1, P2) sont des particules de diffusion inorganiques. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une ampoule (1) comprenant au moins les étapes consistant : à revêtir le corps de base (2) en verre d'un matériau de revêtement qui est un matériau de départ pour la fabrication de la couche (4) diffusant la lumière de l'ampoule (1), ainsi qu'à sécher par endroits le matériau de revêtement et à cuire ladite couche pour la transformer en couche (4) diffusant la lumière, le séchage s'effectuant avec un décalage temporel dans la direction d'écoulement du matériau de revêtement. L'invention se prête en particulier à des applications sur des lampes de remplacement à semiconducteur pour des tubes de lampes à décharge et des lampes linéaires.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)