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1. WO2015011124 - HERSTELLUNG EINES SCHICHTELEMENTS FÜR EINEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2015/011124
Veröffentlichungsdatum 29.01.2015
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2014/065692
Internationales Anmeldedatum 22.07.2014
IPC
H01L 33/50 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
50Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H01L 33/00 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2933/0041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0041relating to wavelength conversion elements
H01L 33/0095
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0095Post-treatments of the devices, e.g. annealing, recrystallisation, short-circuit elimination
H01L 33/505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
505characterised by the shape, e.g. plate or foil
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • BURGER, Markus
  • BRADL, Rainer
  • BRANDL, Martin
Vertreter
  • PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK
Prioritätsdaten
10 2013 214 400.823.07.2013DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HERSTELLUNG EINES SCHICHTELEMENTS FÜR EINEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP
(EN) PRODUCTION OF A LAYER ELEMENT FOR AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT STRATIFIÉ POUR UNE PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsschicht. Die Ausgangsschicht weist eine Ausnehmung auf. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Strukturieren der Ausgangsschicht zum Bilden des Schichtelements. Das Schichtelementweist eine Aussparung auf, welche wenigstens zum Teil aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
(EN)
The invention relates to a method for producing a layer element for an optoelectronic semiconductor chip. The method comprises providing an initial layer. The initial layer has a recess. The method also comprises structuring the initial layer in order to form the layer element. The layer element has a cut-out portion, which is formed at least partially from the recess of the initial layer. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic component.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un élément stratifié pour une puce semi-conductrice opto-électronique. Le procédé comprend les étapes consistant à utiliser une couche de départ. La couche de départ présente un évidement. Le procédé comprend également une structuration de la couche de départ pour former l'élément stratifié. L'élément stratifié présente un évidement qui est formé au moins en partie par l'évidement de la couche de départ. L'invention concerne un procédé de production d'un composant opto-électronique.
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