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1. (WO2014184292) SYSTEM ZUM HERSTELLEN VON STRUKTUREN IN EINEM SUBSTRAT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2014/184292 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2014/059944
Veröffentlichungsdatum: 20.11.2014 Internationales Anmeldedatum: 15.05.2014
IPC:
G03F 1/00 (2012.01) ,G03F 1/70 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1
Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1
Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
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Herstellungsprozesse, die nicht durch die Gruppen G03F1/20-G03F1/50101
70
Anpassung des grundlegenden Entwurfs oder des Aufbaus der Masken an die Anforderungen des lithografischen Prozesses, z.B. Zweischrittkorrektur von Maskenmustern für Abbildungsverfahren
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
Anmelder:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Erfinder:
PATRA, Michael; DE
Vertreter:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2013 209 093.516.05.2013DE
Titel (EN) SYSTEM FOR PRODUCING STRUCTURES IN A SUBSTRATE
(FR) SYSTÈME DE RÉALISATION DE STRUCTURES DANS UN SUBSTRAT
(DE) SYSTEM ZUM HERSTELLEN VON STRUKTUREN IN EINEM SUBSTRAT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a system for producing structures in a wafer by means of a projection exposure system and a lithography mask. High-frequency contributions to a CD error can be removed substantially completely by means of said system by performing rule-based mask adjustments. The rules of the correction according to the invention can be advantageously performed without much additional effort.
(FR) L'invention concerne un système permettant de réaliser des structures dans une tranche de semi-conducteur au moyen d'une installation d'insolation par projection et d'un masque de gravure tout en éliminant la quasi-totalité des sources les plus fréquentes de défauts dans un CD grâce à des ajustements des masques basés sur des règles. L'avantage des règles de correction selon l'invention est qu'elles peuvent être mises en œuvre sans dépense supplémentaire importante.
(DE) Es wird ein System zum Herstellen von Strukturen in einem Wafer mittels einer Projektionsbelichtungsanlage und einer Lithographiemaske vorgeschlagen, mit dem hochfrequente Beiträge zu einem CD-Fehler im Wesentlichen vollständig entfernt werden können, indem regelbasierte Maskenanpassungen durchgeführt werden. Die erfindungsgemäss vorgeschlagenen Regeln der Korrektur können vorteilhaft ohne grossen Zusatzaufwand durchgeführt werden.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)