Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind derzeit nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2014114597) GEREGELTE THERMISCHE BESCHICHTUNG
Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

Patentansprüche

1. Verfahren zur thermischen Beschichtung mittels eines Materialstroms (42) mittels einer Düse (30),

insbesondere mittels eines Pulverstroms,

bei dem ein Material (Mxy) des Materialstroms (42) erwärmt, angeschmolzen und/oder aufgeschmolzen wird,

insbesondere mittels eines Plasmas oder einer Flamme, bei dem zumindest eine der Zielgrößen ( Z i , Z 2 , 7, 3 , ... )

Materialstromgeschwindigkeit (vp) des Materialstroms (42) und/oder

Helligkeitsverteilungen (H(x,y); jH(x, y) dxdy ) oder

Temperaturverteilung (T(x,y; jT(x, y) dxdy )

des Materialstroms (42)

und/oder

Spannung (UB) zwischen einer Elektrode (36) und der Düse (30)

und/oder

die Leistung (P) der Düse (30)

gemessen oder bestimmt und geregelt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1,

bei dem als zumindest eine Zielgröße (Zlr Z2, Z3i ...)

eine Helligkeitsverteilung (H(x,y); jH(x, y) dxdy ) des

Materialstroms (42) oder die Spannung (UB) zwischen der Düse (30) und der Elektrode (36) oder die Leistung (P) der Düse (30) geregelt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1,

bei dem als Zielgrößen ( Z i , Z 2 )

entweder

die Materialstromgeschwindigkeit (vp) und

die Spannung (UB) zwischen der Düse (30) und

der Elektrode (36)

oder

die Materialstromgeschwindigkeit (vp) und

die Leistung (P) an der Düse (30)

geregelt werden.

Verfahren nach Anspruch 1,

bei dem als Zielgrößen ( Z i , Z 2 )

eine Helligkeitsverteilung (H(x,y); fH(x, y) dxdy )

Materialstroms (42) und

die Materialstromgeschwindigkeit

geregelt werden.

Verfahren nach Anspruch 1,

bei dem als Zielgrößen (Zlr Z2)

eine Temperaturverteilung


Materialstroms (42) und

die Materialstromgeschwindigkeit (vp)

geregelt werden.

6. Verfahren nach Anspruch 1,

bei dem als Zielgrößen (Zlr Z2, Z3)

entweder

eine Temperaturverteilung (T(x,y); |T(x, y) dxdy ) des

Materialstroms (42),

die Materialstromgeschwindigkeit (vp) und

die Spannung (UB) zwischen der Düse (30) und der Elektrode

(36)

oder

eine Temperaturverteilung (T(x,y); fT(x, y) dxdy ) des

Materialstroms (42),

die Materialstromgeschwindigkeit (vp) und

die Leistung der Düse (30)

geregelt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 1,

bei dem als Zielgrößen ( Z l r Z2, Z3)

entweder

die Helligkeitsverteilung (H(x,y); jH(x,y) dxdy ) des

Materialstroms (42),

die Materialstromgeschwindigkeit (vp) und

die Spannung (UB) zwischen der Düse (30) und der Elektrode

(36)

oder

die Helligkeitsverteilung des (H(x,y); jH(x,y) dxdy )

Materialstroms (42),

die Materialstromgeschwindigkeit (vp) und

die Leistung (P) an der Düse (30)

geregelt werden.

8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1, 2, 3, 4, 5, 6 oder 7,

bei dem die Stromstärke (IB) zwischen der Düse (30) und der Elektrode (36),

und/oder

die Gasflussraten ( // m Ar) der Düse (30),

als Regelgrößen (Rl, R2, R3) verändert werden,

um die Zielgrößen (ZI, Z2, Z3) wie die Helligkeitsverteilung (H(x,y); IH(x,y) dxdy ) des Materialstroms (42) oder

die Temperaturverteilung (Tx,y); fT(x, y) dxdy ) des Material- Stroms (42) oder

die Spannung (UB) an der Düse (30) oder

die Leistung (P) an der Düse (30) und/oder Materialstromgeschwindigkeit (vp)

in einem bestimmten Toleranzbereich oder konstant zu halten .

9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8,

bei dem als eine Regelgröße (Rl, R2, R3) die Stromstärke (IB) erhöht oder gesenkt wird.

10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9,

bei dem als zumindest eine Regelgröße (Rl, R2, R3) die Gasflussrate (/KÄr, /// ) der Primärgase (Argon, Helium)

und/oder der Sekundärgase (Wasserstoff, ...) der Düse (30) erhöht oder gesenkt werden.

11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10,

bei dem die Materialflussrate (mm) während der Beschich- tung nicht verändert wird.

12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11,

bei dem als Temperatur die Temperaturverteilung (T(x,y)) des Materialsstroms (42) verwendet wird.

13. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11,

bei dem als Temperatur des Materialsstroms (42) ein Integralwert (IT(x, y) dxdy ) des Materialsstroms (42) verwendet

wird .

14. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche

11,

bei dem als Helligkeitswert ein Integralwert

(IH(x,y) dxdy ) des Materialstroms (42) verwendet wird.

15. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11,

bei dem als Helligkeitswert die Helligkeitsverteilung

(H(x,y)) des Materialsstroms (42) verwendet wird.

16. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, 14 oder 15,

bei dem als Helligkeitswert (H) die Lichtstärke oder Strahlungsleistung des Materialstroms (42) verwendet wird.

17. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16,

bei dem ein HVOF-Verfahren verwendet wird.

18. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16,

bei dem ein Plasmaspritzverfahren verwendet wird.

19. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18,

bei dem vor der Beschichtung,

ausgehend von einem und/oder mehreren Anfangswerten der Regelgrößen (Rl, R2, R3) ,

bei dem die gewünschten Zielgrößen (ZI, Z2, Z3) erreicht und/oder eingehalten werden,

Parametersätze für verschiedene Konstellationen wie höher, tiefer, konstant der Regelgrößen (Rl, R2, R3) eingestellt werden und

die Veränderungen der Zielgrößen (ZI, Z2, Z3) ermittelt werden,

die dann später zur Regelung verwendet werden.