Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2014114524) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2014/114524 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2014/050574
Veröffentlichungsdatum: 31.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 14.01.2014
IPC:
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
40
Materialien hierfür
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
EIBL, Johann; DE
TAEGER, Sebastian; DE
HÖPPEL, Lutz; DE
ENGL, Karl; DE
RAMMELSBERGER, Stefanie; DE
MAUTE, Markus; DE
HUBER, Michael; DE
HARTMANN, Rainer; DE
HARTUNG, Georg; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2013 100 818.628.01.2013DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP ENCAPSULATED WITH AN ALD LAYER AND CORRESPONDING METHOD FOR PRODUCTION
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ENCAPSULÉE AVEC UNE COUCHE RÉALISÉE PAR ALD ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, - eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, - einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei - die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, - die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und - die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.
(EN) An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor body (40) comprising an active region (42) provided for generating electromagnetic radiation, a first mirror layer (21) provided for reflecting the electromagnetic radiation, a first encapsulation layer (31) formed with an electrically insulating material, and a carrier (10) provided for mechanically supporting the first encapsulation layer (31), the first mirror layer (21) and the semiconductor body (40), wherein the first mirror layer (21) is arranged between the carrier (10) and the semiconductor body (40), the first encapsulation layer (31) is arranged between the carrier (10) and the first mirror layer (21), and the first encapsulation layer (31) is an ALD layer.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique qui comprend un corps semi-conducteur (40) ayant une zone active (42) prévue pour produire un rayonnement électromagnétique, une première couche miroir (21) prévue pour réfléchir le rayonnement électromagnétique, une première couche d'encapsulation (31) qui est formée avec un matériau électriquement isolant, et un support (10) qui est destiné à servir de support mécanique à la première couche d'encapsulation (31), à la première couche miroir (21) et au corps semi-conducteur (40), la première couche miroir (21) étant placée entre le support (10) et le corps semi-conducteur (40), la première couche d'encapsulation (31) étant placée entre le support (10) et la première couche miroir (21), et la première couche d'encapsulation (31) étant une couche réalisée par ALD.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
CN104956501US20150372203JP2016511535