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1. (WO2014114447) DETEKTOR FÜR INFRAROT- UND/ODER THZ-STRAHLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2014/114447 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2014/000154
Veröffentlichungsdatum: 31.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 21.01.2014
IPC:
G01N 21/35 (2014.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
17
Systeme, in denen einfallendes Licht durch die Eigenschaften des untersuchten Materials beeinflusst wird
25
Farbe; Spektraleigenschaften, d.h. Vergleich der Materialeffekte bei Licht von zwei oder mehr Wellenlängen oder Wellenlängenbereichen
31
Untersuchen relativer Materialeffekte bei Wellenlängen, die für spezifische Elemente oder Moleküle charakteristisch sind, z.B. Atomabsorptionsspektrometrie
35
mit infrarotem Licht
Anmelder:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27 80686 München, DE
Erfinder:
WEBER, Norbert; DE
JUNGER, Stephan; DE
VERWAAL, Nanko; DE
Vertreter:
GAGEL, Roland; Landsberger Str. 480a 81241 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2013 001 046.222.01.2013DE
Titel (DE) DETEKTOR FÜR INFRAROT- UND/ODER THZ-STRAHLUNG
(EN) DETECTOR FOR INFRARED AND/OR THz RADIATION
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENTS INFRAROUGE ET/OU THZ
Zusammenfassung:
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft einen Detektor für Infrarot- und/oder THz-Strahlung, der eine Antenne für die Infrarot- und/oder THz-Strahlung und eine gleichrichtende MIM-Tunneldiode mit einer ersten metallischen Schicht (1), einer zweiten metallischen Schicht (2) und einer dazwischen liegenden dielektrischen Schicht (3) für eine Gleichrichtung des über die Antenne empfangenen Signals aufweist. Die erste metallische Schicht (1) ist als Resonator für die Infrarot- oder THz-Strahlung dimensioniert. Die Antenne für die Infrarot- oder THz-Strahlung ist durch den Resonator der ersten metallischen Schicht (1) gebildet. Dadurch wird bei diesem Detektor die Problematik der oberen Grenzfrequenz im THz -Bereich umgangen und der Detektor kann in einem CMOS-Prozess hergestellt werden.
(EN) The present invention relates to a detector for infrared and/or THz radiation, comprising an antenna for the infrared and/or THz radiation and a rectifying MIM tunnel diode with a first metal layer (1), a second metal layer (2) and a dielectric layer (3) lying therebetween for rectification of the signal received via the antenna. The first metal layer (1) is designed as a resonator for the infrared or THz radiation. The antenna for the infrared or THz radiation is formed by the resonator of the first metal layer (1). This detector thus avoids the problem of the upper limit frequency in the THz range and can be produced in a CMOS process.
(FR) La présente invention concerne un détecteur de rayonnements infrarouge et/ou THz, pourvu d'une antenne sensible aux rayonnements infrarouge et/ou THz et d'une diode à effet tunnel de type MIM laquelle sert de redresseur et laquelle comporte une première couche métallique (1), une deuxième couche métallique (2) et une couche diélectrique (3) disposée entre ces dernières, pour ainsi redresser le signal reçu par l'intermédiaire de l'antenne. La première couche métallique (1) est dimensionnée telle qu'elle sert de résonateur au rayonnement infrarouge ou THz. Ladite antenne sensible au rayonnement infrarouge ou THz est formée par le résonateur de la première couche métallique (1). Ainsi, le détecteur selon l'invention est exempt de la proplématique de la fréquence limite supérieure dans le domaine THz, ce qui permet alors de fabriquer ledit détecteur selon un processus de type CMOS.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)