WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2014111481) KOMPLEMENTÄRER WIDERSTANDSSCHALTER, KONTAKTIERTE POLYKRISTALLINE PIEZO- ODER FERROELEKTRISCHE DÜNNSCHICHT, VERFAHREN ZUM VERSCHLÜSSELN EINER BITFOLGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/111481    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2014/050829
Veröffentlichungsdatum: 24.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 16.01.2014
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01), H01L 31/072 (2012.01), H03K 19/08 (2006.01), H04L 9/00 (2006.01)
Anmelder: HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN-ROSSENDORF E.V. [DE/DE]; Bautzner Landstr. 400 01328 Dresden (DE)
Erfinder: YOU, Tiangui; (DE).
SCHMIDT, Heidemarie; (DE).
DU, Nan; (DE).
BÜRGER, Danilo; (DE).
SKORUPA, Ilona; (DE).
SHUAI, Yao; (DE).
OU, Xin; (DE).
MANJUNATH, Niveditha; (DE).
KOLITSCH, Andreas; (DE)
Vertreter: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Grillparzerstr. 14 81675 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 200 615.2 16.01.2013 DE
10 2013 215 283.3 02.08.2013 DE (Priority Withdrawn 15.04.2014)
10 2013 201 443.0 29.01.2013 DE
Titel (DE) KOMPLEMENTÄRER WIDERSTANDSSCHALTER, KONTAKTIERTE POLYKRISTALLINE PIEZO- ODER FERROELEKTRISCHE DÜNNSCHICHT, VERFAHREN ZUM VERSCHLÜSSELN EINER BITFOLGE
(EN) COMPLEMENTARY RESISTOR SWITCH, CONTACT-CONNECTED POLYCRYSTALLINE PIEZO- OR FERROELECTRIC THIN-FILM LAYER, METHOD FOR ENCRYPTING A BIT SEQUENCE
(FR) INTERRUPTEUR RÉSISTIF COMPLÉMENTAIRE, MINCE COUCHE PIÉZO-ÉLECTRIQUE OU FERRO-ÉLECTRIQUE POLYCRYSTALLINE MISE EN CONTACT ÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE CODAGE D'UNE SÉQUENCE DE BITS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein komplementärer Widerstandsschalter (3) wird vorgeschlagen mit zwei äußeren Kontakten, zwischen denen zwei piezo- oder ferroelektrische Schichten (11a, 11b) mit einem inneren gemeinsamen Kontakt liegen, wobei mindestens ein Bereich (11', 11") der Schichten modifiziert ist, entweder die äußeren Kontakte gleichrichtend (S) sind und der innere Kontakt nicht-gleichrichtend (0) ist oder umgekehrt, sich die modifizierten Bereiche an den gleichrichtenden Kontakten (S) ausbilden, die Schichten verschiedene verspannungsabhängige strukturelle Phasen mit unterschiedlicher Bandlücke und/oder unterschiedlicher Polarisationsladung aufweisen und die elektrische Leitfähigkeit der Schichten unterschiedlich ist. Weiterhin offenbart werden eine schaltbare Widerstandsstruktur mit mindestens einem Schottky-Kontakt an zwei aneinander grenzenden piezo- oder ferroelektrischen Schichten, eine polykristalline piezo- oder ferroelektrische Schicht mit modifizierten Kristalliten, sowie Verfahren und Schaltkreise zum Verschlüsseln und Entschlüsseln einer Bitfolge.
(EN)Disclosed is a complementary resistor switch (3) comprising two outer contacts, between which two piezo- or ferroelectric layers (11a and 11b) having an inner common contact are situated. At least one region (11', 11") of the layers is modified, either the outer contacts are rectifying (S) and the inner contact is non-rectifying (0), or vice versa, the modified regions are formed at the rectifying contacts, the layers have different strain-dependent structural phases with different band gaps and/or different polarization charges, and the electrical conductivity of the layers is different. Also disclosed are a connectable resistor structure having at least one Schottky contact at two adjoining piezo- or ferroelectric layers, a polycrystalline piezo- or ferroelectric layer comprising modified crystallites, and a method and circuits for encrypting and decrypting a bit sequence.
(FR)L'invention concerne différents modes de réalisation d'un interrupteur résistif complémentaire comprenant : deux contacts (T1, T2 ) externes entre lesquels se trouvent deux couches piézo-électriques ou ferro-électriques (11a et 11b) qui sont séparées l'une de l'autre par un contact interne commun, caractérisé en ce qu'au moins une zone de la couche piézo-électrique ou ferro-électrique (11a et 11b) est modifiée au moins une fois de telle façon qu'une zone (11') d'épaisseur (d ') apparaisse dans la couche piézo-électrique ou ferro-électrique (11a et 11b) respectivement entre le contact interne et le contact externe associé, ladite zone pouvant au moins en plus être modifiée en une zone (11") d'épaisseur (d"); a) les contacts externes étant des contacts surfaciques (Sa) et (Sb) et le contact interne étant un contact complémentaire (O) associé commun ou bien les contacts externes étant des contacts complémentaires (Oa) et (Ob) et le contact interne étant un contact surfacique (S) associé commun, b) les contacts surfaciques (S), (Sa) et (Sb) étant redresseurs et les contacts complémentaires (O) ou (Oa) et (Ob) étant non redresseurs, c) les zones modifiées se formant dans la couche piézo-électrique ou ferro-électrique (11a et 11b) sur les contacts surfaciques (S) ou (Sa) et (Sb), d) les couches piézo-électriques ou ferro-électriques (11, 11', 11") présentant différentes phases structurelles en fonction de la tension et ayant différentes bandes interdites et/ou différentes charges de polarisation, et e) les couches piézo-électriques ou ferro-électriques (11, 11', 11") ayant des conductivités électriques différentes.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)