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1. (WO2014111326) VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2014/111326 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2014/050437
Veröffentlichungsdatum: 24.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 13.01.2014
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 23.07.2014
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
01
Anorganische Chemie
B
Nichtmetallische Elemente; deren Verbindungen
33
Silicium; dessen Verbindungen
02
Silicium
021
Herstellung
027
durch Zersetzung oder Reduktion von gasförmigen oder dampfförmigen Siliciumverbindungen außer Siliciumdioxid oder Material, das Siliciumdioxid enthält
035
durch Zersetzung oder Reduktion von gasförmigen oder dampfförmigen Siliciumverbindungen in Gegenwart erhitzter Filamente von Silicium, Kohlenstoff oder einem hochtemperaturbeständigen Metall, z.B. Tantal oder Wolfram, oder in Gegenwart von erhitzten Siliciumstäben, auf welche das geformte Silicium aufgebracht wird, wobei ein Siliciumstab erhalten wird, z.B. Siemens-Verfahren
Anmelder:
WACKER CHEMIE AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Erfinder:
MÜLLER, Barbara; DE
KOCH, Thomas; DE
Vertreter:
KILLINGER, Andreas; Wacker Chemie AG Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2013 200 660.8 17.01.2013DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
(EN) METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SILICONE
(FR) PROCÉDÉ POUR DÉPOSER DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor, wodurch polykristallines Silicium in Form von Stäben abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach Beendigung der Abscheidung der Reaktor für eine bestimmte Zeit geöffnet und belüftet wird.
(EN) The invention relates to a method for separating polycrystalline silicone, comprising passing of a reaction gas comprising a silicon-containing component and hydrogen into a reactor, whereby polycrystalline silicon in the form of rods is deposited, characterized in that upon completion of the deposition the reactor is opened and ventilated for a specific time.
(FR) L'invention concerne un procédé pour déposer du silicium polycristallin, comprenant l'amenée d'un gaz de réaction contenant un composé contenant du silicium et de l'hydrogène dans un réacteur, du silicium polycristallin se déposant sous la forme de barreaux, caractérisé en ce qu'après la fin du dépôt, le réacteur est ouvert et ventilé un certain temps.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
KR1020150093209CN104918883US20150364323EP2945908JP2016506357MYPI 2015001482