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1. (WO2014111314) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HÄRTEPUFFER UND DESSEN VERWENDUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/111314    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2014/050395
Veröffentlichungsdatum: 24.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 10.01.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE)
Erfinder: DIMROTH, Frank; (DE).
KLINGER, Vera; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöe 13 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 000 882.4 18.01.2013 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HÄRTEPUFFER UND DESSEN VERWENDUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UN TAMPON DE DURETÉ ET SON UTILISATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, welches einen gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Härtepuffer aufweist. Dadurch werden geringere durchstoßende Versetzungsdichten, vor allem für Pufferschichten mit ansteigender Gitterkonstante, erreicht. Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement kann es sich um eine Solarzelle handeln. In diesem Fall wird durch den verbesserten Härtepuffer eine wesentlich höhere Effizienz der Solarzelle im Vergleich mit herkömmlichen Solarzellen beobachtet. Weiterhin wird die Verwendung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements oder der erfindungsgemäßen Mehrfachsolarzelle zur Stromerzeugung in Satelliten im Weltraum oder in terrestrischen photovoltaischen Konzentratorsystemen vorgeschlagen.
(EN)The invention relates to a semiconductor component that has an improved hardness buffer compared to the prior art. Lower penetrating dislocation densities are achieved thereby, especially for buffer layers having an increasing lattice constant. The semiconductor component according to the invention can be a solar cell. In this case a substantially higher efficiency of the solar cell is observed compared to conventional solar cells, thanks to the improved hardness buffer. The invention further relates to the use of the semiconductor component according to the invention or of the multiple solar cell according to the invention for energy generation in satellites in space or in terrestrial photovoltaic concentrator systems.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur présentant un tampon de dureté amélioré par rapport à l'état de la technique, ce qui permet d'obtenir des densités de dislocations émergentes réduites surtout pour des couches tampons aux constantes de réseau croissantes. L'élément semi-conducteur selon l'invention peut être une cellule solaire. Dans ce cas, le tampon de dureté amélioré permet d'observer une nette augmentation de l'efficacité de la cellule solaire par rapport aux cellules solaires classiques. En outre, il est proposé d'utiliser l'élément semi-conducteur selon l'invention ou la cellule solaire multiple selon l'invention pour produire de l'électricité dans les satellites dans l'espace ou bien dans des systèmes concentrateurs photovoltaïques terrestres.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)