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1. (WO2014108289) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/108289    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2013/077199
Veröffentlichungsdatum: 17.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 18.12.2013
IPC:
H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/18 (2010.01), C09K 11/06 (2006.01), C08G 61/02 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: GÖÖTZ, Britta; (DE).
MÖNCH, Wolfgang; (DE).
STRASSBURG, Martin; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2013 100 291.9 11.01.2013 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, umfassend - eine Vielzahl aktiver Elemente, die beabstandet voneinander angeordnet sind, und - einen Träger, der quer zu den aktiven Elementen angeordnet ist, wobei - die aktiven Elemente jeweils eine Hauptachse aufweisen, die senkrecht zu dem Träger verläuft, - die Hauptachsen parallel zueinander ausgerichtet sind, - zumindest ein Konvertermaterial die Vielzahl aktiver Elemente an den Mantelflächen umgibt, - das Konvertermaterial einen Konversionsstoff oder einen Konversionsstoff und ein Matrixmaterial umfasst - die aktiven Elemente jeweils einen zentralen Kernbereich aufweisen, der mindestens zweischichtig ummantelt ist, wobei eine aktive Schicht den Kernbereich ummantelt und eine Deckschicht die aktive Schicht ummantelt, - wobei der Kernbereich mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - die aktive Schicht ein lichtemittierendes Material umfasst, - die Deckschicht mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist, und - die Deckschicht eine Schichtdicke zwischen 0,1 nm und 100 nm aufweist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip comprising - a plurality of active elements which are arranged spaced apart from one another and - a carrier which is arranged transversely to the active elements, wherein - the active elements each have a main axis which runs perpendicular to the carrier, - the main axes are oriented parallel to one another, - at least one converter material surrounds the plurality of active elements on the outer surfaces thereof, - the converter material comprises a conversion material or a conversion material and a matrix material, - the active elements each have a central core region which is sheathed with at least two layers, wherein an active layer sheaths the core region and a cover layer sheaths the active layer, - wherein the core region is formed from a first semiconductor material, - the active layer comprises a light-emitting material, - the cover layer is formed from a second semiconductor material, and - the cover layer has a layer thickness of between 0.1 nm and 100 nm.
(FR)L'invention concerne une puce de semi-conducteur optoélectronique, comprenant - une pluralité d'éléments actifs disposés espacés les uns des autres, et - un support disposé transversalement aux éléments actifs, dans laquelle - les éléments actifs possèdent chacun un axe principal perpendiculaire au support, - les axes principaux sont orientés parallèlement les uns aux autres, - au moins un matériau convertisseur entoure la pluralité d'éléments actifs au niveau des surfaces d'enveloppe, - le matériau convertisseur contient une substance de conversion ou un substance de conversion et un matériau de matrice - les éléments actifs possèdent chacun une zone centrale enrobée d'au moins deux couches, une couche active enrobant la zone centrale et une couche de recouvrement enrobant la couche active, - la zone centrale est formée à partir d'un premier matériau semi-conducteur, - la couche active un comprend matériau photoémetteur, - la couche de recouvrement est formée à partir d'un deuxième matériau semi-conducteur, et - l'épaisseur de la couche de recouvrement va de 0,1 nm à 100 nm.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)