WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2014102187) LITHOGRAPHIEVERFAHREN UND LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG FÜR BAUTEILE UND SCHALTUNGEN MIT STRUKTURABMESSUNGEN IM MIKRO- UND NANOBEREICH
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/102187    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2013/077664
Veröffentlichungsdatum: 03.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 20.12.2013
IPC:
G03F 9/00 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Anmelder: TECHNISCHE UNIVERSITÄT ILMENAU [DE/DE]; Ehrenbergstraße 29 98693 Ilmenau (DE)
Erfinder: KÄSTNER, Markus; (DE).
RANGELOW, Ivo W.; (DE).
HOFER, Manuel; (DE)
Vertreter: MANITZ FINSTERWALD UND PARTNER GBR; Postfach 31 02 20 80102 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2012 224 537.5 31.12.2012 DE
Titel (DE) LITHOGRAPHIEVERFAHREN UND LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG FÜR BAUTEILE UND SCHALTUNGEN MIT STRUKTURABMESSUNGEN IM MIKRO- UND NANOBEREICH
(EN) LITHOGRAPHY METHOD AND LITHOGRAPHY DEVICE FOR COMPONENTS AND CIRCUITS HAVING MICROSCALE AND NANOSCALE STRUCTURAL DIMENSIONS
(FR) PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE ET DISPOSITIF LITHOGRAPHIQUE POUR DES COMPOSANTS ET DES CIRCUITS AYANT DES DIMENSIONS STRUCTURALES DU DOMAINE MICROMÉTRIQUE ET NANOMÉTRIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Lithographieverfahren und eine Lithographievorrichtung werden beschrieben, bei dem bzw. bei der ein von einer Rastersonde erzeugtes elektrisches Feld und ein daraus resultierender Feldemissions-/Tunnel /Faraday'scher- Elektronenstrom zur Erzeugung einer Feinstrukturierung einer Resistschicht verwendet wird. Vor der Feinstrukturierung wird eine Grobstrukturierung derselben Resistschicht mittels einer strahlenbasierten Lithographiemethode oder einer nichtstrahlenbasierten Lithographiemethode in Form von Nanoimprintlithographie durchgeführt. Die Grobstrukturierung und die Feinstrukturierung werden direkt im selben Lithographiebereich bzw. überlappend erzeugt. Die Vorrichtung ist so ausgelegt, dass mit Hilfe der Rastersonde die Position der Grobstrukturierung erkannt und die Feinstrukturierung sehr genau damit ausgerichtet werden kann. Dies ermöglicht eine präzise Überlagerung der Fein- mit der Grobstruktur.
(EN)The invention relates to a lithography method and a lithography device, wherein an electric field created by a scanning probe and a field-emission/tunneling/Faraday electron flow resulting therefrom are used to create a fine structure of a resist layer. A rough structure of the same resist layer is created from the fine structure by means of a radiation-based lithography method or a non-radiation-based lithography method in the form of nanoimprint lithography. The rough structure and the fine structure are created directly in the same lithography area or overlapping. The device is designed in such a way that the position of the rough structure can be detected by means of the scanning probe and the fine structure can be aligned very precisely therewith. This enables a precise overlay of the fine structure with the rough structure.
(FR)L'invention concerne un procédé lithographique et un dispositif lithographique. Un champ électrique produit par une sonde locale et un flux électronique d'émission de champ/tunnel/de Faraday résultant sont employés pour produire une structuration fine d'une couche de réserve. Avant la structuration fine, une structuration grossière de la même couche de réserve est réalisée au moyen d'une méthode lithographique basée sur les rayons ou d'une méthode lithographique non basée sur les rayons, sous forme de lithographie à nanoimpression. La structuration grossière et la structuration fine sont réalisées directement dans la même zone lithographique ou de façon superposée. Le dispositif est conçu de telle manière qu'à l'aide de la sonde locale, la position de la structuration grossière est identifiée et la structuration fine peut alors être orientée de façon très précise. Ceci permet une superposition précise de la structuration fine et de la structuration grossière.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)