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1. (WO2014101990) FLÜSSIGE DOTIERMEDIEN ZUR LOKALEN DOTIERUNG VON SILIZIUMWAFERN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2014/101990 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2013/003839
Veröffentlichungsdatum: 03.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 18.12.2013
IPC:
C30B 31/04 (2006.01) ,C23C 18/12 (2006.01) ,C23C 18/32 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 31/0216 (2014.01)
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
31
Diffusions- oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür
04
durch Kontaktieren mit Diffusionsstoffen im flüssigen Zustand
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
18
Chemisches Beschichten durch Zersetzen entweder flüssiger Verbindungen oder der Lösungen der den Überzug bildenden Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug; Kontaktbeschichten
02
durch thermische Zersetzung
12
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
18
Chemisches Beschichten durch Zersetzen entweder flüssiger Verbindungen oder der Lösungen der den Überzug bildenden Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug; Kontaktbeschichten
16
durch Reduktion oder Substitution, d.h. stromloses Beschichten
31
Beschichten mit Metallen
32
Beschichten entweder nur mit Eisen oder nur mit Cobalt oder nur mit Nickel; Beschichten mit Mischungen von Phosphor oder Bor mit einem dieser Metalle
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
48
Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326219
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0216
Beschichtungen, Überzüge
Anmelder:
MERCK PATENT GMBH [DE/DE]; Frankfurter Strasse 250 64293 Darmstadt, DE
Erfinder:
KOEHLER, Ingo; DE
DOLL, Oliver; DE
BARTH, Sebastian; DE
Prioritätsdaten:
12008660.828.12.2012EP
13005734.210.12.2013EP
Titel (DE) FLÜSSIGE DOTIERMEDIEN ZUR LOKALEN DOTIERUNG VON SILIZIUMWAFERN
(EN) LIQUID DOPING MEDIA FOR THE LOCAL DOPING OF SILICON WAFERS
(FR) SUBSTANCES DE DOPAGE LIQUIDES DESTINÉES AU DOPAGE LOCAL DE TRANCHES DE SILICIUM
Zusammenfassung:
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von druckbaren, niedrigviskosen Oxidmedien, und deren Verwendung in der Solarzellenherstellung.
(EN) The invention relates to a novel method for producing printable, low-viscous oxide media and to the use thereof in the production of solar cells.
(FR) La présente invention concerne un nouveau procédé de production de substances d'oxydes à faible viscosité, imprimables, et leur utilisation dans la production de cellules solaires.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
CN104870699SG11201504934UKR1020150103162EP2938760JP2016506631US20160218185
MYPI 2015702129IN2438/KOLNP/2015