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1. (WO2014101989) DOTIERMEDIEN ZUR LOKALEN DOTIERUNG VON SILIZIUMWAFERN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/101989    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2013/003838
Veröffentlichungsdatum: 03.07.2014 Internationales Anmeldedatum: 18.12.2013
IPC:
C30B 31/04 (2006.01), C23C 18/12 (2006.01), C23C 18/32 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01L 31/0216 (2014.01), C09D 183/00 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/0288 (2006.01)
Anmelder: MERCK PATENT GMBH [DE/DE]; Frankfurter Strasse 250 64293 Darmstadt (DE)
Erfinder: KOEHLER, Ingo; (DE).
DOLL, Oliver; (DE).
BARTH, Sebastian; (DE)
Prioritätsdaten:
12008660.8  28.12.2012 EP
13005734.2 10.12.2013 EP
13005735.9 10.12.2013 EP
13005736.7 10.12.2013 EP
13005737.5 10.12.2013 EP
Titel (DE) DOTIERMEDIEN ZUR LOKALEN DOTIERUNG VON SILIZIUMWAFERN
(EN) DOPING MEDIA FOR THE LOCAL DOPING OF SILICON WAFERS
(FR) SUBSTANCES DE DOPAGE DESTINÉES AU DOPAGE LOCAL DE TRANCHES DE SILICIUM
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von druckbaren, hochviskosen Oxidmedien, und deren Verwendung in der Solarzellenherstellung
(EN)The invention relates to a novel method for producing printable, high-viscous oxide media and to the use thereof in the production of solar cells.
(FR)La présente invention concerne un nouveau procédé de production de substances d'oxydes à haute viscosité, imprimables, et leur utilisation dans la production de cellules solaires.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)