Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2014096443) VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE DOTIERTES HALBLEITERSUBSTRAT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2014/096443 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2013/077879
Veröffentlichungsdatum: 26.06.2014 Internationales Anmeldedatum: 23.12.2013
IPC:
H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
22
Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen
225
durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Erfinder:
ROTHHARDT, Philip; DE
WOLF, Andreas; DE
BIRO, Daniel; DE
BELLEDIN, Udo; DE
Vertreter:
PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöhe 13 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2012 025 429.621.12.2012DE
Titel (EN) METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE DOPAGE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DOPÉ
(DE) VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE DOTIERTES HALBLEITERSUBSTRAT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for doping semiconductor substrates, wherein a semiconductor substrate is provided with a layer containing a dopant, the dopant is driven into the semiconductor substrate by means of a thermal treatment, and a moist oxidation is subsequently carried out in an atmosphere containing water vapour.
(FR) L'invention concerne un procédé de dopage de substrats semi-conducteurs, selon lequel un substrat semi-conducteur est pourvu d'une couche contenant une impureté de dopage, cette dernière est enfoncée dans le substrat semi-conducteur par un traitement thermique et ensuite une oxydation humide a lieu dans une atmosphère contenant de la vapeur d'eau.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer einen Dotierstoffenthaltenden Schicht versehen wird, der Dotierstoff durch eine Temperaturbehandlung in das Halbleitersubstrat eingetrieben wird und anschließend eine feuchte Oxidation in einer Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erfolgt.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)