WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2014096443) VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE DOTIERTES HALBLEITERSUBSTRAT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/096443    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2013/077879
Veröffentlichungsdatum: 26.06.2014 Internationales Anmeldedatum: 23.12.2013
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE)
Erfinder: ROTHHARDT, Philip; (DE).
WOLF, Andreas; (DE).
BIRO, Daniel; (DE).
BELLEDIN, Udo; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöhe 13 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2012 025 429.6 21.12.2012 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE DOTIERTES HALBLEITERSUBSTRAT
(EN) METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE DOPAGE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DOPÉ
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer einen Dotierstoffenthaltenden Schicht versehen wird, der Dotierstoff durch eine Temperaturbehandlung in das Halbleitersubstrat eingetrieben wird und anschließend eine feuchte Oxidation in einer Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erfolgt.
(EN)The invention relates to a method for doping semiconductor substrates, wherein a semiconductor substrate is provided with a layer containing a dopant, the dopant is driven into the semiconductor substrate by means of a thermal treatment, and a moist oxidation is subsequently carried out in an atmosphere containing water vapour.
(FR)L'invention concerne un procédé de dopage de substrats semi-conducteurs, selon lequel un substrat semi-conducteur est pourvu d'une couche contenant une impureté de dopage, cette dernière est enfoncée dans le substrat semi-conducteur par un traitement thermique et ensuite une oxydation humide a lieu dans une atmosphère contenant de la vapeur d'eau.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)