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1. (WO2014082746) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG VON SCHICHTOBERFLÄCHEN UND VORRICHTUNG DAZU
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2014/082746    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2013/003595
Veröffentlichungsdatum: 05.06.2014 Internationales Anmeldedatum: 28.11.2013
IPC:
C23C 14/32 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01)
Anmelder: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, TRÜBBACH [CH/CH]; Hauptstrasse 53 CH-9477 Trübbach (CH)
Erfinder: RAMM, Jürgen; (CH).
WIDRIG, Beno; (CH).
SEIBERT, Florian; (CH).
SOBIECH, Matthias, Lukas; (DE)
Vertreter: KEMPKENS, Anke; Kanzlei Kempkens Hofgraben 486 86899 Landsberg am Lech (DE)
Prioritätsdaten:
DE 10 2012 023 260.8 29.11.2012 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG VON SCHICHTOBERFLÄCHEN UND VORRICHTUNG DAZU
(EN) METHOD FOR STRUCTURING LAYER SURFACES AND DEVICE THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ POUR STRUCTURER DES SURFACES DE COUCHES ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Beschichtungsverfahren auf der Basis der Abscheidung aus der Gasphase mittels Funkenverdampfen mit den Schritten: Auswahl eines ersten Targets als Materialquelle für die Beschichtung, Bereitstellung einer Beschichtungskammer mit Funkenverdampfungsquelle die zumindest das ausgewählte Target umfasst, Beladen der Beschichtungskammer mit zu beschichtenden Substraten, Abpumpen der Beschichtungskammer auf einen für die Funkenverdampfung geeigneten Prozessdruck, Zünden und betreiben des Funkens so dass vom ersten Target Material verdampft wird, welches sich auf den zu beschichtenden Substraten niederschlägt, gegebenenfalls nach Reaktion mit einem in die Beschichtungskammer eingelassenen Reaktivgas. Dabei umfasst das erste Target zumindest einen solchen Matrixbestandteil und einen solche Dotierungsbestandteil, dass der Dotierungsbestandteil einen um mindestens 500°C niedrigeren Schmelzpunkt als der Matrixbestandteil aufweist und ein geschmolzener Tropfen des Dotierungsbestandteils auf einer festen Oberfläche des Matrixberstandteils einen Kontaktwinkel von mindestens 90° einnimmt.
(EN)The present invention relates to a coating method based on gas phase deposition by means of arc evaporation, with the steps: selecting a first target as a material source for the coating; providing a coating chamber with an arc evaporation source comprising at least the selected target; loading the coating chamber with substrates to be coated; pumping down the coating chamber to a process pressure suitable for the arc evaporation; and igniting and operating the arc such that material is evaporated from the first target and is then deposited on the substrates to be coated, optionally after reaction with a reactive gas admitted into the coating chamber. The first target comprises at least one matrix component and one doping component such that the doping component has a melting point at least 500°C lower than the matrix component, and a melted drop of the doping component on a solid surface of the matrix component assumes a contact angle of at least 90°.
(FR)La présente invention concerne un procédé de revêtement basé sur le dépôt à partir de la phase gazeuse au moyen d'une évaporation par étincelle, comprenant les étapes consistant à : choisir une première cible comme source de matière pour le revêtement, mettre à disposition une chambre de revêtement dotée d'une source d'évaporation par étincelle qui comprend au moins la cible choisie, charger la chambre de revêtement avec les substrats à revêtir, évacuer par pompage la chambre de revêtement jusqu'à une pression de procédé appropriée pour l'évaporation par étincelle, allumage et fonctionnement de l'étincelle de manière telle que de la matière de la première cible est évaporée, qui se dépose sur les substrats à revêtir, éventuellement après réaction avec un gaz réactif introduit dans la chambre de revêtement. La première cible comprend au moins un constituant de matrice et un constituant de dopage tels que le constituant de dopage présente un point de fusion inférieur d'au moins 500°C au point de fusion du constituant de matrice et une goutte fondue du constituant de dopage sur une surface solide du constituant de matrice présente un angle de contact d'au moins 90°.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)