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1. WO2013185919 - PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS

Veröffentlichungsnummer WO/2013/185919
Veröffentlichungsdatum 19.12.2013
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2013/001748
Internationales Anmeldedatum 13.06.2013
IPC
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
G03F 7/20 (2006.01)
CPC
G03F 7/70058
G03F 7/70133
G03F 7/70558
G03F 7/7085
Anmelder
  • CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Erfinder
  • PATRA, Michael; DE
  • DEGUENTHER, Markus; DE
Vertreter
  • SUMMERER, Christian; Zeuner Summerer Stütz Nussbaumstrasse 8 80336 München, DE
Prioritätsdaten
10 2012 210 071.715.06.2012DE
61/660,04215.06.2012US
Veröffentlichungssprache Englisch (EN)
Anmeldesprache Englisch (EN)
Designierte Staaten
Titel
(EN) PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION DE PROJECTION ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE COMMANDER UN APPAREIL D'EXPOSITION DE PROJECTION
Zusammenfassung
(EN)
A method is provided for controlling a projection exposure apparatus (10) for microlithography, embodied as a scanner, in the exposure operation, in which a reticle (40) is moved along a scanning axis with respect to a frame (42) of the projection exposure apparatus such that the reticle is scanned by an illumination field (60) radiated thereon, and the radiation (22) of the illumination field is guided onto a wafer (44) after interaction with the reticle in order to generate a desired dose distribution on said wafer. The method comprises the following steps: measuring positional changes of the illumination field (60) in the direction of the scanning axis with respect to the frame (42) of the projection exposure apparatus, and correcting the influence of a measured positional change of the illumination field on the dose distribution on the wafer (44) by modifying at least one operational parameter of the projection exposure apparatus (10).
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de commander un appareil d'exposition de projection (10) pour microlithographie, prenant la forme d'un scanner, lors de l'opération d'exposition, au cours de laquelle un réticule (40) est déplacé de long d'un axe de balayage par rapport à un cadre (42) de l'appareil d'exposition de projection de sorte que le réticule est balayé par un champ d'éclairage (60) émis dessus, et le rayonnement (22) du champ d'éclairage est guidé sur une plaquette (44) après interaction avec le réticule afin de générer une répartition de dose souhaitée sur ladite plaquette. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : mesurer des changements de position du champ d'éclairage (60) dans la direction de l'axe de balayage par rapport au cadre (42) de l'appareil d'exposition de projection, et corriger l'influence d'un changement de position mesuré du champ d'éclairage sur la répartition de dose sur la plaquette (44) en modifiant au moins un paramètre opérationnel de l'appareil d'exposition de projection (10).
Auch veröffentlicht als
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