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1. (WO2013124254) VERFAHREN ZUM KONTAKTIEREN EINES HALBLEITERSUBSTRATES, INSBESONDERE ZUM KONTAKTIEREN VON SOLARZELLEN, SOWIE DADURCH KONTAKTIERTE SOLARZELLEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2013/124254    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2013/053238
Veröffentlichungsdatum: 29.08.2013 Internationales Anmeldedatum: 19.02.2013
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Anmelder: UNIVERSITAET STUTTGART [DE/DE]; Keplerstrasse 7 70174 Stuttgart (DE)
Erfinder: WERNER, Juergen H.; (DE).
ZAPF-GOTTWICK, Renate; (DE)
Vertreter: WITTE, WELLER & PARTNER / ZUSAMMENSCHLUSS EPA NR. 314; Postfach 10 54 62 70047 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2012 003 866.6 23.02.2012 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM KONTAKTIEREN EINES HALBLEITERSUBSTRATES, INSBESONDERE ZUM KONTAKTIEREN VON SOLARZELLEN, SOWIE DADURCH KONTAKTIERTE SOLARZELLEN
(EN) METHOD FOR CONTACTING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MORE PARTICULARLY FOR CONTACTING SOLAR CELLS, AND SOLAR CELLS CONTACTED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE MISE EN CONTACT D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DE MISE EN CONTACT DE CELLULES SOLAIRES, ET CELLULES SOLAIRES AINSI MISES EN CONTACT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen (10), angegeben, insbesondere zur Herstellung von Frontkontakten (19) an Solarzellen (10), bei dem zunächst eine metallische Saatstruktur (20) auf der zu kontaktierenden Oberfläche mittels eines LIFT-Prozesses erzeugt wird und anschließend eine Verstärkungsschicht (22) auf die Saatstruktur (20) mittels eines Druckverfahrens, insbesondere eines Siebdruckverfahrens oder eines Ink-Jet-Verfahrens aufgedruckt wird.
(EN)A method is specified for contacting a semiconductor substrate, more particularly for contacting solar cells (10), more particularly for producing front contacts (19) on solar cells (10), in which a metal seed structure (20) is initially produced by means of a LIFT process on the surface to be contacted, and then a reinforcement layer (22) is printed onto the seed structure (20) by means of a printing method, more particularly a screen printing method or an inkjet method.
(FR)L'invention concerne un procédé de mise en contact d'un substrat semi-conducteur, en particulier de mise en contact de cellules solaires (10), en particulier pour la production de contacts avant (19) sur des cellules solaires (10). Ledit procédé consiste à tout d'abord produire par un procédé de transfert par laser (LIFT) une structure germe métallique (20) sur la surface à mettre en contact, puis à imprimer une couche de renforcement (22) sur la structure germe (20) par un procédé d'impression, en particulier un procédé de sérigraphie ou un procédé à jet d'encre.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)