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1. (WO2013120696) VERFAHREN ZUM ABKÜHLEN VON SCHEIBEN AUS HALBLEITERMATERIAL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2013/120696    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2013/051840
Veröffentlichungsdatum: 22.08.2013 Internationales Anmeldedatum: 31.01.2013
IPC:
C30B 33/02 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
Anmelder: SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Erfinder: HECHT, Hannes; (DE)
Vertreter: BAAR, Christian; Siltronic AG Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2012 202 099.3 13.02.2012 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ABKÜHLEN VON SCHEIBEN AUS HALBLEITERMATERIAL
(EN) METHOD FOR COOLING DOWN WAFERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE REFROIDIR DES DISQUES EN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Verfahren zum Abkühlen von Scheiben aus Halbleitermaterial Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Abkühlen von heißen Scheiben aus Halbleitermaterial, beispielsweise nach einem Epitaxieprozess, bei der die Scheibe aus Halbleitermaterial während des Abkühlprozesses vor einer Metallkontamination geschützt ist.
(EN)The invention relates to a method for cooling down hot wafers of semiconductor material, for example after an epitaxial process, in which the wafer of semiconductor material is protected from metal contamination during the cooling-down process.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de refroidir des disques en matériau semi-conducteur. L'objet de l'invention est un procédé permettant de refroidir des disques chauds en matériau semi-conducteur, par exemple après un procédé épitaxial, selon lequel le disque en matériau semi-conducteur pendant le procédé de refroidissement est protégé d'une contamination métallique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)